本文關(guān)鍵詞：Si和SiGe三極管Early效應(yīng)模型及在電路仿真器中的應(yīng)用綜述

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【摘要】：Early效應(yīng)作為表征雙極器件關(guān)鍵性能的因素之一,影響輸出跨導(dǎo)、傳輸電流、基區(qū)渡越時(shí)間、電流增益、擴(kuò)散電容等器件特性.本文從Early效應(yīng)的基本定義出發(fā),綜述了Early電壓的起源,模型的發(fā)展及其在Si和Si Ge電路仿真器中的應(yīng)用.具體為:(1)綜述了Si三極管中的基本模型及在SPICE中處理過程,然后針對(duì)SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中針對(duì)Early效應(yīng)的改進(jìn).(2)由于SPICE和VBIC不能有效描述SiGe HBT中基區(qū)Ge組分引入.本文基于SiGe HBT標(biāo)準(zhǔn)化模型Mextram、HICUM對(duì)SiGe HBT的建模思想,綜述了將其用于建立Early電壓模型的方法.(3)總結(jié)了現(xiàn)有主流模型對(duì)Early效應(yīng)的建模方法及優(yōu)缺點(diǎn).
【作者單位】： 長(zhǎng)安大學(xué)電子與控制工程學(xué)院道路交通檢測(cè)與裝備工程技術(shù)研究中心;西安電子科技大學(xué)綜合業(yè)務(wù)網(wǎng)理論與關(guān)鍵技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： Early效應(yīng) 三極管 SPICE 積分電荷控制關(guān)系
【基金】：中國(guó)博士后科學(xué)基金(No.2013M540732) 國(guó)家自然科學(xué)基金(No.61504011) 陜西省自然科學(xué)基金(No.2014JQ8344,No.2015JM6357) 西安市科技計(jì)劃項(xiàng)目(No.CXY1441(9)) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)(No.31083216002)
【分類號(hào)】：TN32
【正文快照】：

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本文編號(hào)：900912