本文關(guān)鍵詞：基于諧振腔效應(yīng)的近紫外垂直結(jié)構(gòu)LED光萃取效率優(yōu)化

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【摘要】：利用有限時(shí)域差分法研究近紫外垂直結(jié)構(gòu)LED的光萃取效率的影響因素。結(jié)果顯示,LED的光萃取效率隨p-GaN層厚度的變化呈周期性振蕩變化,在極大值點(diǎn)處的光萃取效率是極小值點(diǎn)處的4.8倍。進(jìn)一步地,對(duì)上述振蕩極大值點(diǎn)和極小值點(diǎn)的n-GaN層厚度和表面光子晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,優(yōu)化的光萃取效率分別達(dá)到35.3%和24.7%,比優(yōu)化前各提高了37.9%和280%。因此,合理的外延層和光子晶體結(jié)構(gòu)可有效提高近紫外垂直結(jié)構(gòu)LED的光萃取效率,這對(duì)實(shí)驗(yàn)制備高效近紫外垂直結(jié)構(gòu)LED芯片具有一定的指導(dǎo)作用。
【作者單位】： 華南理工大學(xué)廣東省光電工程技術(shù)研究開發(fā)中心;華南理工大學(xué)物理與光電學(xué)院;華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 發(fā)光二極管 光萃取效率 近紫外 光子晶體 諧振腔效應(yīng)
【基金】：“863”國(guó)家高技術(shù)發(fā)展研究計(jì)劃(2014AA032609) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61404050,61504044) 廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)資金(2012A080302003) 廣東省重大科技專項(xiàng)(2014B010119002)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 1 引言 氮化鎵基發(fā)光二極管(Light-emitting diode,LED)具有功耗低、壽命長(zhǎng)、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于顯示,照明以及固化等領(lǐng)域[1-4]。一般地,紫外LED是指發(fā)光波長(zhǎng)小于400 nm的LED,而將發(fā)光波長(zhǎng)在320~400 nm范圍內(nèi)的LED稱為近紫外(Ultraviolet-A,UV-A)LED。與傳統(tǒng)的紫外

【相似文獻(xiàn)】

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1 楊義軍;胡珊;朱駿;;不同四邊形LED芯片光萃取效率仿真研究[J];電子元件與材料;2013年11期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 黃賽君;提高有機(jī)發(fā)光二極管光萃取效率的研究[D];上海交通大學(xué);2014年

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本文編號(hào)：885233