發(fā)布時(shí)間：2017-09-20 01:38

  本文關(guān)鍵詞：多靶磁控濺射鍍膜設(shè)備及其特性

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【摘要】：介紹了一種多靶磁控濺射鍍膜設(shè)備,闡述了鍍膜室、工件臺(tái)、陰極濺射靶、輔助離子源、真空系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的設(shè)計(jì)思想。鍍膜工藝結(jié)果顯示,設(shè)備滿足工藝要求,膜層均勻性優(yōu)于±3%。
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所;
【關(guān)鍵詞】： 磁控濺射 濺射靶 離子源
【分類號(hào)】：TN305.92
【正文快照】： 磁控濺射鍍膜設(shè)備利用濺射方法,實(shí)現(xiàn)快速和低溫薄膜生長,與熱蒸發(fā)和電弧鍍相比,磁控濺射沉積薄膜過程穩(wěn)定、控制方便、靶材設(shè)計(jì)性強(qiáng),易獲得大面積均勻薄膜;同時(shí),磁控濺射成膜的離子能量高于熱蒸發(fā)、低于電弧鍍,易獲得附著力強(qiáng)、致密度高、內(nèi)應(yīng)力小的薄膜。隨著科技的進(jìn)步,磁控

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本文編號(hào)：885176