發(fā)布時(shí)間：2017-09-19 20:06

  本文關(guān)鍵詞：IGBT模塊雜散電感分析與仿真

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【摘要】：雜散電感的存在會(huì)引起芯片關(guān)斷損耗增大和過(guò)電壓等現(xiàn)象,從而降低IGBT模塊整體可靠性。通過(guò)分析IGBT模塊工作回路雜散電感的分布并利用Ansoft Q3D Extractor對(duì)單獨(dú)元件和模塊整體進(jìn)行仿真,發(fā)現(xiàn)模塊的雜散電感主要來(lái)自于直流母排和導(dǎo)電銅層,雖然雜散電感隨電路回路長(zhǎng)度的增長(zhǎng)而增加,但相對(duì)于回路長(zhǎng)度,元件間的相對(duì)位置對(duì)雜散電感影響更大,通過(guò)元件的合理布局能顯著降低模塊整體的雜散電感。
【作者單位】： 新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】： IGBT模塊 雜散電感 數(shù)字仿真 元件布局
【分類(lèi)號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 0?引言IGBT是一種既具有雙極型三極管通流能力強(qiáng)、飽和壓降低等特點(diǎn)又具有MOSFET輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小等優(yōu)點(diǎn)的全控型功率半導(dǎo)體器件[1-3],已逐漸成為大、中型電力電子變換裝置中重要的組成部件。近年來(lái),隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,IGBT的通流能力和耐壓水平有了進(jìn)一

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：883645