本文關(guān)鍵詞：GaN基LED電流分布的芯片結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)

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【摘要】：GaN基LED的電流橫向擴(kuò)展導(dǎo)致電流分布不均勻的現(xiàn)象仍是目前亟待解決的難題,對于高壓倒裝LED更是如此。傳統(tǒng)的LED工藝把負(fù)電極直接制作在n-GaN材料表面,而提出的優(yōu)化結(jié)構(gòu)是負(fù)電極內(nèi)嵌于n-GaN材料。首先通過LED電流擴(kuò)展的簡單建模來探討器件內(nèi)部的電流分布情況,得出優(yōu)化結(jié)構(gòu)有利于改善芯片內(nèi)部電流分布的理論推導(dǎo)。再進(jìn)一步用SILVACO軟件對優(yōu)化結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)芯片內(nèi)部電流分布進(jìn)行了仿真對比,結(jié)果表明前者電流密度僅為后者的55%。最后制作了相關(guān)LED芯片樣品進(jìn)行熱阻測試對比,實(shí)驗(yàn)表明優(yōu)化結(jié)構(gòu)芯片的結(jié)溫和熱阻較傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)分別下降了13%和26%�？梢娦酒Y(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方案是有效可行的。
【作者單位】： 深圳大學(xué)光電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： GaN基LED 電流擴(kuò)展 結(jié)構(gòu)優(yōu)化 電流分布仿真 熱阻測試
【基金】：廣東省產(chǎn)學(xué)研資助項(xiàng)目(2011B090400400) 廣東省前沿與關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(2014B010120004) 深圳市重大產(chǎn)業(yè)攻關(guān)資助項(xiàng)目(JSGG20140519105124218)
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 0引言Ga N及其化合物是用于研制光電子器件的第三代半導(dǎo)體材料,基于Ga N材料的LED器件是人類固態(tài)照明史上一個(gè)全新的里程碑,具有廣闊的市場前景[1]。然而,由于襯底材料藍(lán)寶石是絕緣的,目前Ga N基LED器件主要采取橫向結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)的一個(gè)普遍而難以解決的問題是電流的橫向擴(kuò)展,

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 肖劉;董玉和;蘇小保;劉濮鯤;;螺旋帶面電流分布研究[J];強(qiáng)激光與粒子束;2006年08期

2 劉毅;趙廣才;李培咸;;GaN基LED電流分布的模擬[J];電子科技;2010年08期

3 湯玉生,郝躍;MOSFET柵電流分布的理論建模[J];電子學(xué)報(bào);1999年10期

4 ;[J];;年期

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本文編號：883206