發(fā)布時間：2017-09-18 07:29

  本文關鍵詞：納米集成電路互連線建模和光刻仿真中的大規(guī)模并行計算方法

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【摘要】：集成電路規(guī)模龐大、結構復雜,隨著集成電路制造工藝進入納米尺度,復雜制造工藝中的工藝波動嚴重影響電路性能,給集成電路設計帶來了巨大的挑戰(zhàn).集成電路互連線建模與光刻仿真涉及大規(guī)模Maxwell方程的數(shù)值求解,計算復雜度高、規(guī)模龐大.本文主要綜述了在973項目資助下,基于中國科學院科學與工程計算國家重點實驗室陳志明教授提出的并行自適應有限元理論及大規(guī)模并行計算平臺PHG發(fā)展的納米集成電路互連線建模和光刻仿真的大規(guī)模并行計算方法.在集成電路互連線建模方面,一方面,綜述了寄生電容參數(shù)提取的并行自適應有限元方法 ParAFEMCap,該方法實現(xiàn)了可以在上百乃至上千CPU核上運行的并行寄生電容提取,在1536 CPU核計算平臺上達到75.7%左右的并行效率;另一方面,綜述了一種結合邊界元法和隨機法的混合算法BIE-WOS,用于導體或介質面電荷密度計算,該方法具有隨機法天然并行性的優(yōu)勢,易于實現(xiàn)大規(guī)模并行計算,本文進一步在5120核計算平臺上驗證了算法近似線性的并行加速比.在光刻仿真方面,基于自適應有限元計算框架(PHG)提出了集成電路光刻的并行自適應仿真方法,采用各項異性的單軸完美匹配層方法處理散射邊界條件.
【作者單位】： 復旦大學專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室;中國科學院數(shù)學與系統(tǒng)科學研究院科學與工程計算國家重點實驗室(LSEC);
【關鍵詞】： 大規(guī)模集成電路 建模 寄生參數(shù)提取 光刻工藝 有限元方法 隨機行走方法
【基金】：國家重點基礎研究發(fā)展計劃(973計劃)(批準號:2011CB309701,2011CB309703) 國家高技術研究發(fā)展計劃(863計劃)(批準號:2012AA01A30901) 國家重點研發(fā)計劃高性能計算重點專項項目(批準號:2016YFB0201304) 國家自然科學基金(批準號:61376040,61574046,91330201,61274032,91430215,91530323,11321061) 中國科學院國家數(shù)學與交叉科學研究中心(NC MIS)資助項目
【分類號】：TN405
【正文快照】： 國家重點基礎研究發(fā)展計劃(973計劃)(批準號:2011CB309701,2011CB309703)、國家高技術研究發(fā)展計劃(863計劃)(批準號:2012AA01A30901)、國家重點研發(fā)計劃高性能計算重點專項項目(批準號:2016YFB0201304)、國家自然科學基金(批準號:61376040,61574046,91330201,61274032,914302

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中國期刊全文數(shù)據庫 前1條

1 李瀚宇;周海京;廖成;;JEMS-FDTD超大規(guī)模并行計算測試[J];強激光與粒子束;2011年11期

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本文編號：874199