本文關(guān)鍵詞：基于電-熱耦合模型的IGBT模塊結(jié)溫計(jì)算方法

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【摘要】：溫度循環(huán)下的疲勞累計(jì)損傷是IGBT模塊失效的主要原因,計(jì)算IGBT模塊的結(jié)溫對(duì)預(yù)測(cè)其壽命具有重要意義。為了研究IGBT模塊工作過(guò)程中結(jié)溫變化情況,首先通過(guò)計(jì)算IGBT和FWD的功率損耗建立了IGBT模塊電模型,然后在分析IGBT模塊熱傳導(dǎo)方式的基礎(chǔ)上建立了IGBT模塊熱模型,進(jìn)而基于電模型和熱模型建立了IGBT模塊的電-熱耦合模型,最后以三相橋式逆變器為例對(duì)IGBT和FWD的結(jié)溫進(jìn)行了仿真分析。結(jié)果表明,由于IGBT和FWD處于開(kāi)關(guān)狀態(tài),兩者的結(jié)溫波形均呈波動(dòng)形狀,且波動(dòng)均值經(jīng)過(guò)短時(shí)間上升后穩(wěn)定于一恒定值,所以逆變器用IGBT模塊開(kāi)始工作后經(jīng)短時(shí)間的熱量積累最終達(dá)到熱穩(wěn)定狀態(tài);由于IGBT的開(kāi)關(guān)損耗比FWD大,使得IGBT結(jié)溫受開(kāi)關(guān)頻率的影響較大。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電磁場(chǎng)與電器可靠性省部共建重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： IGBT模塊 結(jié)溫 功率損耗 電-熱耦合模型
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51475136) 國(guó)家科技支撐計(jì)劃資助項(xiàng)目(2015BAA09B01) 河北省科技支撐計(jì)劃資助項(xiàng)目(15212117) 河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(E2014202230)~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 絕緣柵雙極型晶體管IGBT(insulated gate bipolar transistor)綜合了雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管兩者的優(yōu)點(diǎn),具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、導(dǎo)通壓降低和載流密度大等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)、交通運(yùn)輸及家用電器等關(guān)鍵領(lǐng)域,故IGBT的可靠性問(wèn)題成為研究熱點(diǎn)。因IGBT模塊內(nèi)

【相似文獻(xiàn)】

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