本文關(guān)鍵詞：雙柵非晶InGaZnO薄膜晶體管有源層厚度對電學(xué)性能的影響

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【摘要】：雙柵非晶InGaZnO薄膜晶體管(DG a-IGZO TFTs)具有比單柵a-IGZO TFTs更優(yōu)良的電學(xué)性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷態(tài)呈指數(shù)型分布的模型,討論了在界面缺陷態(tài)影響下雙柵驅(qū)動的DG a-IGZO TFTs有源層厚度對電學(xué)性能的影響.研究結(jié)果表明:隨著有源層厚度的減小,雙柵驅(qū)動模式下DG a-IGZO TFTs兩柵極的耦合作用增強(qiáng),有源層上、下表面的導(dǎo)電溝道向體內(nèi)延伸,使器件的場效應(yīng)遷移率顯著增加;界面缺陷態(tài)對DG a-IGZO TFTs場效應(yīng)遷移率的影響隨著有源層厚度的減小而降低,對亞閾值擺幅的影響隨著有源層厚度的減小而增大.
【作者單位】： 華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 雙柵非晶InGaZnO薄膜晶體管 界面缺陷態(tài) 場效應(yīng)遷移率 亞閾值擺幅
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61274085)~~
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： 與傳統(tǒng)非晶硅薄膜晶體管(TFTs)相比,非晶In Ga Zn O(a-IGZO)TFTs因能在接近室溫條件下制備、有較高的遷移率及柔性等優(yōu)點(diǎn)而逐漸應(yīng)用于高速和高分辨率的有源矩陣液晶顯示器及柔性透明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器[1-5].為進(jìn)一步提高器件性能和在電路中的驅(qū)動能力,近年來雙柵(D

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2 張少強(qiáng)，徐重陽，，鄒雪城，趙伯芳，周雪梅，王長安，戴永兵;薄有源層非晶硅薄膜晶體管特性的研究[J];電子學(xué)報;1997年02期

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本文編號：810213