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基于三層光柵結(jié)構(gòu)的超寬帶太赫茲吸收體

發(fā)布時間:2017-09-07 21:35

  本文關(guān)鍵詞:基于三層光柵結(jié)構(gòu)的超寬帶太赫茲吸收體


  更多相關(guān)文章: 光柵結(jié)構(gòu) 太赫茲吸收體 超寬帶 嚴格耦合波 重摻硼硅


【摘要】:基于等效介質(zhì)膜理論及多層減反膜原理設(shè)計了用于超寬帶太赫茲吸收體的三層微結(jié)構(gòu)光柵,光柵基質(zhì)采用重摻硼硅材料.用有限時域差分法分析了光柵周期、光柵寬度和深度對太赫茲吸收體反射系數(shù)的影響.數(shù)值分析結(jié)果表明,在低于3THz波段,吸收率高于98%的帶寬為1.3THz,吸收率高于95%的帶寬達2.1THz.用嚴格耦合波理論對該三層光柵的高吸收現(xiàn)象進行理論分析,分析結(jié)果表明,光柵多級衍射的相互作用減少了入射面的反射率,增大了該吸收體的吸收率.進一步優(yōu)化三層光柵微結(jié)構(gòu)的參量,在0.6~6THz范圍內(nèi)實現(xiàn)了大于95%的太赫茲吸收.基于光柵結(jié)構(gòu)的吸收體結(jié)構(gòu)簡單,易于設(shè)計與分析,可以應(yīng)用于太赫茲成像與探測應(yīng)用領(lǐng)域.
【作者單位】: 天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院激光與光電子研究所;光電信息技術(shù)教育部重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】光柵結(jié)構(gòu) 太赫茲吸收體 超寬帶 嚴格耦合波 重摻硼硅
【基金】:國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展項目(No.2015CB755403) 國家自然科學(xué)基金(No.61471257) 天津市科技支撐項目(No.14ZCZDGX00030) 天津市科委項目(No.13ZCZDSF02300)資助~~
【分類號】:TN25
【正文快照】: 0引言太赫茲具有生物指紋譜、穿透性及光子安全性等特性,在安全檢查、醫(yī)學(xué)診斷、環(huán)境科學(xué)、信息通信及基礎(chǔ)物理研究領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用[1-2].其中,太赫茲吸收體作為探測、成像的關(guān)鍵技術(shù)之一,成為當(dāng)前太赫茲功1-1005011能器件研究的熱點之一[3-5].基于人工電磁超材料結(jié)構(gòu)的超材

本文編號:810030

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