本文關(guān)鍵詞：4英寸硅襯底GaN發(fā)光二極管

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【摘要】：采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)襯底上,使用復(fù)合Al GaN插入層技術(shù),成功生長(zhǎng)出了厚度為4μm無(wú)裂紋的GaN基外延層,并在此基礎(chǔ)上生長(zhǎng)了全結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管(LED)外延片。采用喇曼光譜測(cè)試和雙晶衍射測(cè)試表征GaN外延層的應(yīng)力以及外延層的晶體質(zhì)量。GaN的喇曼譜峰為568.16 cm~(-1),表面受到的壓應(yīng)力為0.164 7 GPa,由于GaN外延層受到的壓應(yīng)力很小,說(shuō)明插入Al GaN層之后外延層的應(yīng)力已經(jīng)釋放。雙晶衍射測(cè)試得出GaNω(002)的半高寬為320 arcsec。將此外延片制作成功率芯片,芯片尺寸為35 mil×35 mil(1 mil=2.54×10-3cm),封裝為白光芯片后,在350 m A下流明效率達(dá)到161.1 lm/W,正向開(kāi)啟電壓為3.095 V,顯色指數(shù)為71。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【關(guān)鍵詞】： 氮化鎵 量子阱 發(fā)光二極管(LED) 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD) 喇曼光譜
【分類號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 0引言由于高亮度發(fā)光二極管(LED)具有高發(fā)光效率、節(jié)能、長(zhǎng)壽命、響應(yīng)速度快和不含汞等優(yōu)越性能,LED最終將戰(zhàn)勝節(jié)能燈和無(wú)極燈,成為照明市場(chǎng)的統(tǒng)治者。藍(lán)光LED產(chǎn)業(yè)化使用的襯底主要包括藍(lán)寶石、碳化硅和硅,這是目前產(chǎn)業(yè)化的三條技術(shù)路線,其中藍(lán)寶石襯底是以日本日亞化學(xué)公司為

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