本文關(guān)鍵詞：焊接式IGBT模塊與壓接型IGBT器件可靠性差異分析

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【摘要】：功率半導(dǎo)體器件的可靠性是指在一定的條件下,器件所能執(zhí)行一定功能的能力,是功率半導(dǎo)體器件最重要的考核指標。當(dāng)前功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)器件封裝形式主要有焊接和壓接兩種。焊接式IGBT模塊成熟度較高,國內(nèi)外對其可靠性有一定深入的研究。壓接型IGBT器件因具有功率密度大、雙面散熱和易于串聯(lián)等優(yōu)點適用于高壓大功率場合,其可靠性也得到越來越多的重視。首先對焊接式IGBT模塊與壓接型IGBT器件各自的封裝形式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行介紹。重點針對兩種封裝形式的失效模式進行了概括,并對不同的失效機理進行了深入分析。最后對兩種封裝形式IGBT的失效模式和失效機理進行討論與總結(jié)。
【作者單位】： 華北電力大學(xué)新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室;國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【關(guān)鍵詞】： 焊接式絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊 壓接型IGBT器件 可靠性 失效模式 失效機理
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51477048) 國家能源應(yīng)用技術(shù)研究及工程示范項目(NY20150705) 國家電網(wǎng)公司科技項目(5455GB160006,5455DW150012) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費專項資金資助項目(2016XS04)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 0引言1982年H.W.Becke和Jr.C.F.Wheatley[1]在美國發(fā)明了絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipo-lar transistor,IGBT)。IGBT同時具有雙極型器件的高電流密度和MOSFET的電壓控制、高開關(guān)頻率等特點[2],優(yōu)勢明顯。隨著IGBT器件的發(fā)展以及各方面技術(shù)的不斷提高,其應(yīng)用電壓范圍

【相似文獻】

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1 巨峰峰;姚偉明;翁長羽;劉道廣;;IGBT器件柵極漏電問題研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);2012年09期

2 杜鵬英;任國海;杜少武;劉正之;;基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2006年03期

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中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 饒祖剛;王銳;陸界江;趙雁;高景倩;;溝槽柵場終止型IGBT器件形貌結(jié)構(gòu)的開發(fā)[A];第二十五屆中國（天津）2011’IT、網(wǎng)絡(luò)、信息技術(shù)、電子、儀器儀表創(chuàng)新學(xué)術(shù)會議論文集[C];2011年

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1 楊玲玲;新型IGBT器件的設(shè)計與建模[D];廈門大學(xué);2009年

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本文編號：809782