發(fā)布時間：2017-09-04 22:11

  本文關鍵詞：GaN組合開關電路及其驅(qū)動技術研究

  更多相關文章： 氮化鎵 高電子遷移率場效應晶體管 耗盡型 驅(qū)動電路 開關變換器

【摘要】：基于氮化鎵的高電子遷移率場效應晶體管(GaN HEMT)具有電子遷移率高、耐高溫和極低的寄生電容等諸多特點而成為開關變換器領域關注的焦點。限于目前的制造工藝,基于氮化鎵材料的MOS開關器件更容易做成耗盡型,針對耗盡型GaN HEMT器件的負電壓關斷特性,結(jié)合其應用于開關變換器的上電短路問題,提出一種GaN HEMT器件與增強型MOSFET的組合開關電路,可實現(xiàn)對耗盡型GaN HEMT器件的開、關控制及可靠關斷,但其關斷速度不夠快。為此,提出一種快速關斷GaN HEMT器件的驅(qū)動電路,并得到了進一步提高GaN HEMT器件開關速度的改進電路,可實現(xiàn)對耗盡型GaN HEMT器件快速可靠關斷。實例及實驗結(jié)果驗證了所提出電路的可行性。
【作者單位】： 西安科技大學通信與信息工程學院;中國移動通信集團山西有限公司;西安科技大學電氣與控制工程學院;
【關鍵詞】： 氮化鎵 高電子遷移率場效應晶體管 耗盡型 驅(qū)動電路 開關變換器
【基金】：陜西省科學技術研究發(fā)展計劃(2015SF279)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 0引言以半導體材料作為基礎可制成各種各樣的器件,1990年代之前,以硅為代表的第一代半導體材料占據(jù)統(tǒng)治地位。但隨著信息時代的來臨,特別是對高壓、高溫及大功率的需求,以Ga N等寬禁帶半導體為代表的第三代半導體材料,受到了廣泛關注[1-4]。由于Ga N材料化學鍵能高,材料的物理

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