本文關(guān)鍵詞：GaN組合開關(guān)電路及其驅(qū)動技術(shù)研究

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【摘要】：基于氮化鎵的高電子遷移率場效應(yīng)晶體管(GaN HEMT)具有電子遷移率高、耐高溫和極低的寄生電容等諸多特點而成為開關(guān)變換器領(lǐng)域關(guān)注的焦點。限于目前的制造工藝,基于氮化鎵材料的MOS開關(guān)器件更容易做成耗盡型,針對耗盡型GaN HEMT器件的負(fù)電壓關(guān)斷特性,結(jié)合其應(yīng)用于開關(guān)變換器的上電短路問題,提出一種GaN HEMT器件與增強(qiáng)型MOSFET的組合開關(guān)電路,可實現(xiàn)對耗盡型GaN HEMT器件的開、關(guān)控制及可靠關(guān)斷,但其關(guān)斷速度不夠快。為此,提出一種快速關(guān)斷GaN HEMT器件的驅(qū)動電路,并得到了進(jìn)一步提高GaN HEMT器件開關(guān)速度的改進(jìn)電路,可實現(xiàn)對耗盡型GaN HEMT器件快速可靠關(guān)斷。實例及實驗結(jié)果驗證了所提出電路的可行性。
【作者單位】： 西安科技大學(xué)通信與信息工程學(xué)院;中國移動通信集團(tuán)山西有限公司;西安科技大學(xué)電氣與控制工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 氮化鎵 高電子遷移率場效應(yīng)晶體管 耗盡型 驅(qū)動電路 開關(guān)變換器
【基金】：陜西省科學(xué)技術(shù)研究發(fā)展計劃(2015SF279)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 0引言以半導(dǎo)體材料作為基礎(chǔ)可制成各種各樣的器件,1990年代之前,以硅為代表的第一代半導(dǎo)體材料占據(jù)統(tǒng)治地位。但隨著信息時代的來臨,特別是對高壓、高溫及大功率的需求,以Ga N等寬禁帶半導(dǎo)體為代表的第三代半導(dǎo)體材料,受到了廣泛關(guān)注[1-4]。由于Ga N材料化學(xué)鍵能高,材料的物理

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本文編號：794122