本文關(guān)鍵詞：質(zhì)子注入型光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器制備

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【摘要】：在光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器中采用質(zhì)子注入工藝,使臺面工藝變成純平面工藝,降低了光子晶體結(jié)構(gòu)制備難度,簡化了器件制備,提高了器件的均勻性。質(zhì)子注入型光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器中的光子晶體結(jié)構(gòu),在電流限制孔小于光子晶體缺陷孔時,仍能控制器件光束及模式特性,該結(jié)果可用于優(yōu)化器件閾值電流,制備高性能低閾值電流基橫模器件。實驗所設(shè)計制備的器件,在注入電流小于12.5 m A時,閾值電流2.1 m A,出光功率大于1 m W,遠場發(fā)射角小于7°,有效驗證了光子晶體結(jié)構(gòu)在質(zhì)子注入型面發(fā)射激光器中的光束改善及模式控制作用。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院光電子技術(shù)教育部重點實驗室;中國科學院半導體研究所;
【關(guān)鍵詞】： 質(zhì)子注入 光子晶體 垂直腔面發(fā)射激光器
【基金】：國家自然科學基金(61376049,61076044,61107026,61204011) 北京市自然科學基金(4132006,4102003,4112006) 高等學校博士學科點專項科研基金(20121103110018) 北京市教委創(chuàng)新能力提升計劃(PXM2013_014204_000029)
【分類號】：TN248
【正文快照】： 0引言垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)以其動態(tài)單縱模、低閾值電流、高光束質(zhì)量(圓形光斑)、易于二維陣列集成等優(yōu)點,在短距離光通信[1]、光互連[2]、光存儲等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。然而普通VCSEL由于橫向尺寸較大,橫模限制較弱,其中存在多個橫向模式,彼此之間交疊,競爭強烈,嚴重影

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