本文關(guān)鍵詞：894nm高溫垂直腔面發(fā)射激光器及其芯片級(jí)銫原子鐘系統(tǒng)的應(yīng)用

  更多相關(guān)文章： 垂直腔面發(fā)射激光器 芯片級(jí)原子鐘 高溫 相干布居囚禁

【摘要】：報(bào)道了自行研制的894 nm高溫垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)以及基于此類器件的芯片級(jí)銫原子鐘系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)結(jié)果.根據(jù)芯片級(jí)銫原子鐘對(duì)VCSEL在特定高溫環(huán)境下產(chǎn)生894.6 nm線偏振激光的要求,對(duì)器件的量子阱增益及腔模位置等材料結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,確定增益-腔模失諧量為-15 nm,使器件的基本性能在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定.研制的VCSEL器件指標(biāo)為:20—90?C溫度范圍內(nèi)閾值電流保持在0.20—0.23 m A,0.5 m A工作電流下輸出功率0.1 mW;85.6?C溫度環(huán)境下激光波長(zhǎng)894.6 nm,偏振選擇比59.8:1;采用所研制的VCSEL與銫原子作用,獲得了芯片級(jí)銫原子鐘實(shí)施激光頻率穩(wěn)頻的吸收譜線和實(shí)施微波頻率穩(wěn)頻的相干布居囚禁譜線.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
【關(guān)鍵詞】： 垂直腔面發(fā)射激光器 芯片級(jí)原子鐘 高溫 相干布居囚禁
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61434005,61474118,11304362) 國(guó)家科技重大專項(xiàng)(批準(zhǔn)號(hào):2014ZX04001151) 吉林省科技發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):20150203011GX;20140101203JC) 長(zhǎng)春市科技計(jì)劃項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):14KG006;15SS02,13KG22)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TN248
【正文快照】： 1引言 垂直腔面發(fā)射激光器(vertical-cavity surfaceemitting lasers,VCSEL)是半導(dǎo)體激光器家族的重要成員[1-5].VCSEL能夠通過(guò)芯片表面發(fā)射出易于整形的圓形對(duì)稱激光光束,并同時(shí)具有低閾值電流、單縱模以及響應(yīng)頻帶寬等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)在通信、照明及傳感等領(lǐng)域獲得大規(guī)模應(yīng)用[6-8

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 李滾,劉長(zhǎng)虹,劉春俠;外界電磁場(chǎng)對(duì)銫原子鐘性能影響的探討[J];國(guó)外電子測(cè)量技術(shù);2004年03期

，

本文編號(hào)：659692