本文關(guān)鍵詞：化學(xué)機(jī)械拋光終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)研究

  更多相關(guān)文章： 晶圓 終點(diǎn)檢測(cè) 平坦化 化學(xué)機(jī)械拋光

【摘要】：化學(xué)機(jī)械拋光是晶圓全局平坦化的核心技術(shù),其中有效的終點(diǎn)檢測(cè)是影響拋光效果的關(guān)鍵。若不能有效地監(jiān)測(cè)拋光過程,便無法避免晶圓拋光過度或不足的缺陷。本文在介紹CMP原理與應(yīng)用的基礎(chǔ)上,系統(tǒng)分析了CMP終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)的多種應(yīng)用方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所;
【關(guān)鍵詞】： 晶圓 終點(diǎn)檢測(cè) 平坦化 化學(xué)機(jī)械拋光
【分類號(hào)】：TN305.2
【正文快照】： 近年來,超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了0.1μm和300 mm時(shí)代,特征線寬為0.1μm的技術(shù)也已經(jīng)廣泛應(yīng)用。在2025年之前,20~14 nm工藝設(shè)備國產(chǎn)化率將達(dá)到30%,到2030年,實(shí)現(xiàn)450 mm工藝設(shè)備的國產(chǎn)化[1]。隨著特征線寬的進(jìn)一步微小化,對(duì)硅片表面的平坦化程度提出了更高的要求,

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