發(fā)布時(shí)間：2017-08-04 14:32

  本文關(guān)鍵詞：一種荷控憶容器的電路模擬器設(shè)計(jì)及其基本特性分析

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【摘要】：直接從荷控憶容器的數(shù)學(xué)模型出發(fā),首先采用通用有源電路芯片設(shè)計(jì)了憶容器"浮地"電路模擬器,之后結(jié)合Matlab和Multisim混合仿真的方法,研究了其二端口的基本電特性,給出了在不同交變信號(hào)激勵(lì)以及不同參數(shù)下憶容器電路模擬器的系統(tǒng)級(jí)仿真實(shí)驗(yàn),最后完成了其硬件電路的實(shí)現(xiàn)及性能測(cè)試。結(jié)果表明:所設(shè)計(jì)的荷控憶容器具有電荷-電壓之間的自收縮磁滯回線特性,是一種具有記憶特性的非線性電容,這與理論概念上的憶容器特性相吻合,可為憶容器在電子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生新的應(yīng)用電路提供器件模擬實(shí)體。
【作者單位】： 蘭州大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 憶容器 荷控 模擬器 浮地 磁滯回線 硬件實(shí)現(xiàn)
【分類號(hào)】：TN402
【正文快照】：

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：620087