本文關(guān)鍵詞：基于VMM驗證方法學的NAND Flash控制器的驗證

  更多相關(guān)文章： VMM驗證 SystemVerilog NAND Flash控制器 SoC

【摘要】：隨著半導體工藝的發(fā)展,集成電路設(shè)計規(guī)模不斷增大,芯片設(shè)計復(fù)雜度日益增加,芯片驗證工作也越來越困難。驗證是集成電路設(shè)計中必不可缺的一部分,它保障了芯片設(shè)計的功能滿足規(guī)范的定義和要求,減少由于功能缺陷導致的投片次數(shù),縮短產(chǎn)品上市時間,但設(shè)計的飛速發(fā)展與驗證方法的發(fā)展之間鴻溝仍然巨大。最近的統(tǒng)計數(shù)據(jù)表明,對一個復(fù)雜邏輯芯片而言,整個產(chǎn)品周期中60~70%的時間都用于驗證工作[1]。然而,傳統(tǒng)的驗證方法很難滿足現(xiàn)在復(fù)雜的芯片驗證,研究高效的、自動化的、可復(fù)用的驗證方法將是驗證工程師們重點關(guān)注的方向。本文的主要內(nèi)容是基于VMM驗證方法學搭建一個適用于異步、ONFI、Toggle三種接口標準的NAND Flash控制器的驗證環(huán)境。VMM是基于SystemVerilog搭建的一種層次化的驗證平臺,該平臺支持受約束的隨機激勵、覆蓋率驅(qū)動和自動化對比等功能。本文在詳細分析了異步、ONFI、Toggle三種類型的NAND Flash的工作協(xié)議后,結(jié)合NAND Flash控制器的架構(gòu)和功能特點,提取出主要的功能驗證點�；谶@些待測功能點,本文提出了一種可復(fù)用的驗證平臺結(jié)構(gòu),并對驗證平臺內(nèi)的組件的功能和實現(xiàn)方式等進行了詳細的分析論述。本文通過創(chuàng)建受約束的隨機測試用例實現(xiàn)對待測功能點的驗證,并建立與功能驗證對應(yīng)的功能覆蓋率組,在驗證過程中以功能覆蓋率作為導向來判斷驗證工作的完成度,結(jié)合覆蓋率的統(tǒng)計結(jié)果對未被覆蓋的功能點添加定向測試用例,并且采用將參考模型和待測設(shè)計的輸出結(jié)果進行自動化對比的方法來提高驗證效率。驗證過程采用直接測試與隨機測試相結(jié)合的方法,使待測設(shè)計能夠在遍歷更多的情景,確保驗證工作的完備性。使用受約束的隨機方法提高了驗證平臺的自動化程度,增加了對邊界情況的測試。本文使用VCS工具完成仿真工作,并利用DVE軟件來查看波形文件完成代碼調(diào)試,通過對仿真過程中生成的文件和波形對仿真結(jié)果進行分析。本文最后通過分析功能仿真結(jié)果和覆蓋率報告,將仿真過程中出現(xiàn)的功能缺陷和設(shè)計人員溝通并及時修改,保證NAND Flash控制器滿足設(shè)計規(guī)范。覆蓋率也能達到目標要求,其中功能覆蓋率達到100%,代碼覆蓋率達到99.15%。本文搭建的驗證平臺有很強的復(fù)用性,易移植到其它NAND Flash控制器項目中,大大的提高了驗證效率,縮短了研發(fā)周期,充分體現(xiàn)了VMM驗證方法學的特點。
【關(guān)鍵詞】：VMM驗證 SystemVerilog NAND Flash控制器 SoC
【學位授予單位】：西安電子科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN407
【目錄】：

• 摘要5-6
• ABSTRACT6-10
• 符號對照表10-11
• 縮略語對照表11-14
• 第一章 緒論14-18
• 1.1 課題的研究背景與意義14-15
• 1.2 芯片驗證的發(fā)展史及現(xiàn)狀15-16
• 1.3 課題研究的主要內(nèi)容和章節(jié)安排16-18
• 第二章 VMM驗證方法學18-24
• 2.1 SystemVerilog語言簡介18-19
• 2.2 VMM驗證方法學19-21
• 2.3 VMM標準庫介紹21-23
• 2.4 本章小節(jié)23-24
• 第三章 NAND Flash控制器模塊分析24-34
• 3.1 NAND Flash簡介24-29
• 3.1.1 NAND Flash結(jié)構(gòu)特點24-25
• 3.1.2 NAND Flash引腳信號25-26
• 3.1.3 NAND Flash基本操作26-27
• 3.1.4 NAND Flash接口時序分析27-29
• 3.2 NAND Flash控制器模塊29-32
• 3.2.1 NAND Flash控制器結(jié)構(gòu)29-31
• 3.2.2 NAND Flash控制器接口信號31-32
• 3.3 本章小節(jié)32-34
• 第四章 NAND Flash控制器驗證環(huán)境34-58
• 4.1 驗證功能點的提取34-39
• 4.2 NAND Flash控制器驗證環(huán)境39-40
• 4.3 環(huán)境中驗證組件的設(shè)計40-56
• 4.3.1 測試用例Testcase40-42
• 4.3.2 事務(wù)發(fā)生器42-44
• 4.3.3 總線驅(qū)動模型44-45
• 4.3.4 接口45-46
• 4.3.5 參考模型46-50
• 4.3.6 錯誤注入模型50-52
• 4.3.7 記分板52-53
• 4.3.8 監(jiān)視器53-54
• 4.3.9 頂層Env環(huán)境54-56
• 4.4 本章小節(jié)56-58
• 第五章 NAND Flash控制器驗證結(jié)果分析58-72
• 5.1 仿真工具介紹58
• 5.2 驗證環(huán)境的文件結(jié)構(gòu)58-60
• 5.3 驗證環(huán)境的調(diào)試60-61
• 5.3.1 驗證環(huán)境單獨調(diào)試60
• 5.3.2 驗證環(huán)境與設(shè)計代碼聯(lián)調(diào)60-61
• 5.4 仿真結(jié)果61-68
• 5.5 覆蓋率結(jié)果68-71
• 5.6 本章小結(jié)71-72
• 第六章 總結(jié)和展望72-74
• 參考文獻74-76
• 致謝76-78
• 作者簡介78-79

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 漢澤西;呂飛;;大容量NAND Flash在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用[J];石油儀器;2006年01期

2 編輯部;;成長強勁的NAND Flash產(chǎn)業(yè)[J];電子與電腦;2006年11期

3 ;NAND一季度表現(xiàn)糟糕[J];電子產(chǎn)品世界;2007年07期

4 江興;;三星NAND閃存龍頭地位牢固[J];半導體信息;2008年03期

5 ;NAND閃存閃現(xiàn)光芒,今年營業(yè)收入有望大增[J];今日電子;2013年07期

6 ;云應(yīng)用導致NAND閃存需求下降[J];電子產(chǎn)品世界;2013年12期

7 羽冬;;東芝推出多芯片封裝NAND閃存[J];半導體信息;2004年05期

8 羽冬;;Chip Enable Don't Care的NAND閃存[J];半導體信息;2004年01期

9 任萍;嵌入式NAND Flash穩(wěn)步起飛[J];電子與電腦;2005年05期

10 馬豐璽;楊斌;衛(wèi)洪春;;非易失存儲器NAND Flash及其在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用[J];計算機技術(shù)與發(fā)展;2007年01期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 ;Design and Implement NAND FLASH Data Storage System Based on the ARM[A];全國數(shù)字媒體技術(shù)專業(yè)建設(shè)與人才培養(yǎng)研討會論文集[C];2011年

2 趙忠文;王魁;;基于NAND Flash的高速大容量固態(tài)記錄器設(shè)計[A];全國第三屆信號和智能信息處理與應(yīng)用學術(shù)交流會專刊[C];2009年

3 肖珂;郭永超;郭書軍;;基于MTD的NAND Flash驅(qū)動開發(fā)[A];2010通信理論與技術(shù)新發(fā)展——第十五屆全國青年通信學術(shù)會議論文集（上冊）[C];2010年

4 雷磊;謝民;李先楚;;基于NAND型Flash的海量存儲板的設(shè)計與實現(xiàn)[A];全國第二屆嵌入式技術(shù)聯(lián)合學術(shù)會議論文集[C];2007年

5 劉恕;;NAND Flash的ECC分級及其在ATE設(shè)備中的測試方法[A];第五屆中國測試學術(shù)會議論文集[C];2008年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 佳宜;NAND型Flash缺貨恐至2005年[N];電子資訊時報;2004年

2 佳宜;NAND型Flash價跌 需求仍看俏[N];電子資訊時報;2004年

3 燕蕙;休慮NAND型 Flash價跌[N];電子資訊時報;2004年

4 怡均;NAND型Flash難止跌[N];電子資訊時報;2004年

5 ;NAND閃存吃緊[N];計算機世界;2005年

6 周悟;NAND閃存大戰(zhàn)在即[N];計算機世界;2005年

7 吳宗翰 DigiTimes 專稿;茂德將于12英寸廠投產(chǎn)NAND Flash[N];電子資訊時報;2006年

8 吳宗翰 DigiTimes;三星、海力士、美光全靠攏NAND Flash[N];電子資訊時報;2006年

9 連于慧/DigiTimes;NAND Flash價格壓力沉重 恐再現(xiàn)跌勢[N];電子資訊時報;2006年

10 連于慧 DigiTimes;NAND Flash報價跌 廠商大打容量消耗戰(zhàn)[N];電子資訊時報;2006年

中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 李江鵬;提高NAND型閃存使用壽命的數(shù)字信號處理方法研究[D];上海交通大學;2014年

2 黃敏;提高MLC NAND Flash存儲系統(tǒng)可靠性的方法研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2016年

3 魏德寶;基于錯誤特征的NAND Flash存儲策略研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2016年

4 徐永剛;基于NAND Flash的嵌入式圖像記錄技術(shù)[D];中國科學院研究生院（光電技術(shù)研究所）;2013年

5 孫輝;NAND固態(tài)盤有限編程/擦除次數(shù)的評測模型及優(yōu)化方法[D];華中科技大學;2014年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 丁德紅;嵌入式系統(tǒng)中大頁NAND Flash應(yīng)用研究[D];吉林大學;2008年

2 鄭帥;NAND Flash主機接口控制器技術(shù)研究[D];華南理工大學;2015年

3 張鵬;NAND Flash壞塊管理算法研究與實現(xiàn)[D];哈爾濱工業(yè)大學;2015年

4 李雪峰;基于自主CPU的NAND啟動的實現(xiàn)[D];北京工業(yè)大學;2015年

5 周天偉;NAND閃存的軟硬判決糾錯碼應(yīng)用研究[D];西安電子科技大學;2014年

6 周仕成;基于NAND FLASH高速海量存儲系統(tǒng)的設(shè)計[D];上海交通大學;2015年

7 江旭東;基于NAND Flash陣列的高速大容量圖像存儲器設(shè)計[D];中北大學;2016年

8 張云鵬;一種基于虛擬分區(qū)頁映射的閃存FTL設(shè)計[D];安徽大學;2016年

9 張蓉;支持ONFI和Toggle模式的NAND Flash控制器設(shè)計[D];華中科技大學;2014年

10 王舉利;eMMC存儲系統(tǒng)的閃存轉(zhuǎn)換層研究與設(shè)計[D];天津工業(yè)大學;2016年

，

本文編號：619978