本文關(guān)鍵詞：Qorvo發(fā)布用于高級雷達(dá)系統(tǒng)的緊湊型GaN功率放大器

  更多相關(guān)文章： GaN Qorvo 雷達(dá)系統(tǒng) 最大效率 氮化鎵 性能需求 頻率范圍 首款 電子掃描 環(huán)境條件

【摘要】：正10月21日,Qorvo,Inc.宣布推出兩款全新的功率放大器(PA),包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款500WL頻段PA和一款450WS頻段PA。這些高功率設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化可用于國防和民用雷達(dá)系統(tǒng),其功能經(jīng)過設(shè)計可縮短并簡化系統(tǒng)部署。全新QPD1003采用Qorvo高性能氮化鎵(GaN)技術(shù),可滿足在1.2至1.4GHz頻率范圍內(nèi)工作的有源電子掃描陣列(AESA)雷達(dá)等高功率相位陣列的性能需求。這些系統(tǒng)要求PA以最大效率工作,從而在嚴(yán)苛的環(huán)境條件下降低熱量生成。全新QPD1003可通
【關(guān)鍵詞】： GaN;Qorvo;雷達(dá)系統(tǒng);最大效率;氮化鎵;性能需求;頻率范圍;首款;電子掃描;環(huán)境條件;
【分類號】：TN722.75;TN957
【正文快照】： 10月21日,Q or vo,I nc.宣布推出兩款全新的功率放大器(PA),包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款50 0W L頻段PA和一款450W S頻段PA。這些高功率設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化可用于國防和民用雷達(dá)系統(tǒng),其功能經(jīng)過設(shè)計可縮短并簡化系統(tǒng)部署。全新QPD1003采用Qorvo高性能氮化鎵(Ga N)技術(shù),可滿足在

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 陳勇波;周建軍;徐躍杭;國云川;徐銳敏;;GaN高電子遷移率晶體管高頻噪聲特性的研究[J];微波學(xué)報;2011年06期

2 張保平;蔡麗娥;張江勇;李水清;尚景智;王篤祥;林峰;林科闖;余金中;王啟明;;GaN基垂直腔面發(fā)射激光器的研制[J];廈門大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2008年05期

3 汪連山,劉祥林,岳國珍,王曉暉,汪度,陸大成,王占國;N型GaN的持續(xù)光電導(dǎo)[J];半導(dǎo)體學(xué)報;1999年05期

4 趙麗偉;滕曉云;郝秋艷;朱軍山;張帷;劉彩池;;金屬有機化學(xué)氣相沉積生長的GaN膜中V缺陷研究[J];液晶與顯示;2006年01期

5 張進(jìn)城;董作典;秦雪雪;鄭鵬天;劉林杰;郝躍;;GaN基異質(zhì)結(jié)緩沖層漏電分析[J];物理學(xué)報;2009年03期

6 陳裕權(quán);;歐洲通力合作發(fā)展GaN技術(shù)[J];半導(dǎo)體信息;2009年04期

7 張金風(fēng);郝躍;;GaN高電子遷移率晶體管的研究進(jìn)展[J];電力電子技術(shù);2008年12期

8 唐懿明;;電注入連續(xù)波藍(lán)光GaN基垂直腔面發(fā)射激光器[J];光機電信息;2008年08期

9 Tim McDonald;;基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命[J];中國集成電路;2010年06期

10 楊曉東;;自組織GaN小島的InGaN/GaN量子阱白光發(fā)射[J];中國激光;2013年04期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 陳勇波;周建軍;徐躍杭;國云川;徐銳敏;;GaN高電子遷移率晶體管高頻噪聲特性的研究[A];2011年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C];2011年

2 金豫浙;曾祥華;胡益佩;;γ輻照對GaN基白光和藍(lán)光LED的光學(xué)和電學(xué)特性影響[A];二00九全國核反應(yīng)會暨生物物理與核物理交叉前沿研討會論文摘要集[C];2009年

3 劉福浩;許金通;王玲;王榮陽;李向陽;;GaN基雪崩光電二極管及其研究進(jìn)展[A];第十屆全國光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2012年

4 王曦;孫佳胤;武愛民;陳靜;王曦;;新型硅基GaN外延材料的熱應(yīng)力模擬[A];第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集（10）[C];2007年

5 凌勇;周赫田;朱星;黃貴松;黨小忠;張國義;;利用近場光譜研究GaN藍(lán)光二極管的雜質(zhì)發(fā)光[A];第五屆全國STM學(xué)術(shù)會議論文集[C];1998年

6 楊德超;梁紅偉;宋世巍;;不同的襯底彎曲度(bow)值對GaN基LED芯片參數(shù)的影響[A];第十二屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2012年

7 王非;楊冬;李春華;梁建;馬淑芳;劉旭光;許并社;;GaN納米線的制備與表征[A];2006年全國功能材料學(xué)術(shù)年會專輯[C];2006年

8 徐現(xiàn)剛;;SiC襯底上GaN基的材料生長及器件研究[A];第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2010年

9 王曉亮;陳堂勝;唐健;肖紅領(lǐng);王翠梅;李晉閩;王占國;侯洵;;SiC襯底GaN基HEMT結(jié)構(gòu)材料與器件[A];第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料，微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會議論文集[C];2008年

10 孫永健;陳志忠;齊勝利;于彤軍;康香寧;劉鵬;張國義;朱廣敏;潘堯波;陳誠;李仕濤;顏建峰;郝茂盛;;激光剝離轉(zhuǎn)移襯底的薄膜GaN基LED器件特性分析[A];第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料，微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會議論文集[C];2008年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 趙景濤;GaN基電子器件勢壘層應(yīng)變與極化研究[D];山東大學(xué);2015年

2 毛清華;高光效硅襯底GaN基大功率綠光LED研制[D];南昌大學(xué);2015年

3 陳浩然;太赫茲波段GaN基共振隧穿器件的研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

4 龔欣;GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及相關(guān)基礎(chǔ)研究[D];西安電子科技大學(xué);2007年

5 徐波;GaN納米管的理論研究及GaN緊束縛勢模型的發(fā)展[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2007年

6 李亮;GaN基太赫茲器件的新結(jié)構(gòu)及材料生長研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

7 欒崇彪;GaN基電子器件中極化庫侖場散射機制研究[D];山東大學(xué);2014年

8 周圣軍;大功率GaN基LED芯片設(shè)計與制造技術(shù)研究[D];上海交通大學(xué);2011年

9 呂玲;GaN基半導(dǎo)體材料與HEMT器件輻照效應(yīng)研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

10 冷永清;GaN高電子遷移率晶體管特性及其功率放大器研究[D];湖南大學(xué);2013年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 徐新兵;基于GaN納米線鐵電場效應(yīng)晶體管及相關(guān)電性能[D];華南理工大學(xué);2015年

2 葉菲菲;高光效GaN基LED芯片的設(shè)計與制備[D];華南理工大學(xué);2012年

3 吳躍峰;大功率GaN基LED芯片的制備[D];華南理工大學(xué);2013年

4 杜大超;N面GaN外延薄膜生長研究[D];西安電子科技大學(xué);2011年

5 段超;GaN基材料和器件輻照可靠性研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

6 朱慶瑋;GaN基雙異質(zhì)結(jié)特性研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

7 張亞Z，

本文編號：601032