本文關(guān)鍵詞：薄膜晶體管電容電壓特性及其模型研究

  更多相關(guān)文章： CV特性 結(jié)構(gòu)參數(shù) 頻率依賴的CV模型 薄膜晶體管TFT 陷阱電荷 傳輸線模型

【摘要】：本文主要介紹了薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)的電容-電壓(CV)特性,并建立了一個頻率依賴的CV(f-CV)模型。首先,在充分理解MOS結(jié)構(gòu)器件CV特性的基礎(chǔ)上,基于不同layout的TFT的結(jié)構(gòu)差異,結(jié)合器件溝道耗盡和積累時的CV特性,我們提取了非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)TFT器件的結(jié)構(gòu)參數(shù):柵極氧化層厚度、IGZO溝道厚度、刻蝕阻擋層厚度(ESL)厚度以及接觸孔處由于過渡刻蝕后留下的溝道厚度。其次,我們建立了一個頻率依賴的TFT CV模型(f-CV)。該模型不僅包含了溝道電荷分析模型、RC延遲相關(guān)的傳輸線模型,也考慮了不同頻率下,陷阱電荷對測量電容的影響�；谕惶讌�(shù),在頻率f從10 kHz到1.5 MHz范圍內(nèi),最終的電容模型f-CV能很好的擬合頂柵自對準(zhǔn)多晶硅(p-Si)TFT的CV測量曲線。為了驗證模型的正確性,我們還同時擬合了不同寬長比的TFT器件以及不同溫度下的CV測量值,其擬合效果相當(dāng)完美。
【關(guān)鍵詞】：CV特性 結(jié)構(gòu)參數(shù) 頻率依賴的CV模型 薄膜晶體管TFT 陷阱電荷 傳輸線模型
【學(xué)位授予單位】：蘇州大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN321.5
【目錄】：

• 中文摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-22
• 1.1 薄膜晶體管簡介9-12
• 1.2 實驗測試系統(tǒng)介紹12-14
• 1.3 半導(dǎo)體器件電容測量14-18
• 1.4 本文的主要工作及論文結(jié)構(gòu)安排18-20
• 參考文獻20-22
• 第二章 薄膜晶體管CV特性22-40
• 2.1 MOS結(jié)構(gòu)電容器件CV特性23-28
• 2.2 薄膜晶體管CV特性28-30
• 2.3 TFT CV特性的應(yīng)用—基于CV測量的IGZO結(jié)構(gòu)參數(shù)提取30-38
• 2.3.1 實驗樣品a-IGZO TFT的制備31
• 2.3.2 TFT結(jié)構(gòu)和相關(guān)電容分布31-33
• 2.3.3 CV測量和參數(shù)提取33-38
• 2.4 本章小結(jié)38-39
• 參考文獻39-40
• 第三章 薄膜晶體管CV模型40-64
• 3.1 CV模型研究背景40-42
• 3.2 實驗樣品p型p-Si TFT的制備42-43
• 3.3 柵電容Cgc模型的分析43-52
• 3.3.1 靜態(tài)CV模型43-46
• 3.3.2 頻率依賴的陷阱電荷模型46-51
• 3.3.3 傳輸線模型51-52
• 3.4 模型擬合和分析52-60
• 3.5 本章小結(jié)60-61
• 參考文獻61-64
• 第四章 結(jié)論及未來工作64-66
• 4.1 本文結(jié)論64
• 4.2 未來工作64-66
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文66-67
• 致謝67-68

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