本文關(guān)鍵詞：金剛石襯底GaN HEMT研究進展

  更多相關(guān)文章： 氮化鎵 高電子遷移率晶體管 金剛石 轉(zhuǎn)移技術(shù)

【摘要】：SiC襯底GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)綜合了AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)優(yōu)異的輸運特性與SiC襯底高導(dǎo)熱性能,在高頻、寬帶、高效、大功率應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影響了導(dǎo)電溝道的散熱,散熱問題成為影響GaN HEMT性能進一步發(fā)揮的主要障礙。本文分析了GaN外延材料高缺陷密度形成的原因,介紹了近年來國外正在開展的基于轉(zhuǎn)移技術(shù)金剛石襯底GaN HEMT技術(shù),解決GaN HEMT散熱問題的研究進展。研究結(jié)果表明,基于轉(zhuǎn)移技術(shù)的金剛石襯底GaN HEMT有望成為繼SiC襯底GaN HEMT之后的下一代固態(tài)微波功率器件主導(dǎo)型器件技術(shù)。
【作者單位】： 南京電子器件研究所微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 氮化鎵 高電子遷移率晶體管 金剛石 轉(zhuǎn)移技術(shù)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 引言GaN半導(dǎo)體材料具有比GaAs更大的禁帶寬度、更高的飽和電子漂移速度和更高的擊穿電場強度,基于SiC襯底的AlGaN/GaN HEMT結(jié)合了SiC襯底的高導(dǎo)熱性與AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料高輸運特性的綜合優(yōu)勢,可實現(xiàn)較GaAs FET更高的輸出功率密度、更寬的工作帶寬及更高的工作效率,是固態(tài)微

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2 鄭克芳,李木森,宮建紅,李洪巖;測定含硼金剛石單晶顆粒電阻的方法[J];理化檢驗(物理分冊);2004年12期

3 吳健昌;日本第三屆金剛石會議介紹[J];微細加工技術(shù);1990年Z1期

4 戚立昌,侯立,楊佩春,浦新;金剛石薄膜(DF)的過去、現(xiàn)在和將來[J];微細加工技術(shù);1990年Z1期

5 藤森直治 ,吳明華;金剛石用于半導(dǎo)體器件的探索[J];微細加工技術(shù);1992年02期

6 郝兆印,賀義興;高溫高壓條件下葉蠟石對金剛石單晶生長的影響[J];人工晶體學(xué)報;1997年Z1期

7 呂反修,唐偉忠,李成明,陳廣超,佟玉梅;大面積光學(xué)級金剛石自支撐膜研究進展[J];紅外技術(shù);2003年04期

8 王德新,王福泉,劉光海,楊俊菊;優(yōu)質(zhì)細顆粒金剛石單晶(170～400目)生長工藝條件研究[J];人工晶體學(xué)報;1997年Z1期

9 李光曉;金剛石光學(xué)元件[J];光電子技術(shù)與信息;1996年06期

10 王傳新,汪建華,滿衛(wèi)東,王升高,馬志斌,康志成,吳素娟;采用正交法研究金剛石偏壓形核[J];材料開發(fā)與應(yīng)用;2003年02期

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1 張娜;含硼金剛石單晶的微觀品質(zhì)與半導(dǎo)體性能的相關(guān)性研究[D];山東大學(xué);2010年

2 蔣長順;3D-MCM金剛石熱沉熱分析及熱應(yīng)力分析[D];電子科技大學(xué);2006年

3 崔健;高頻SAW濾波器的ZnO/金剛石多層膜制備及器件設(shè)計研究[D];天津理工大學(xué);2007年

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本文編號：601102