本文關(guān)鍵詞：一種新型GaAs基無漏結(jié)隧穿場效應(yīng)晶體管

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【摘要】：針對隧穿場效應(yīng)晶體管開態(tài)電流較低的問題,提出了一種新型GaAs基無漏結(jié)隧穿場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu),并對其性能進行了研究。在該結(jié)構(gòu)中,溝道和漏區(qū)采用具有相同摻雜濃度的N型InGaAs材料,實現(xiàn)溝道/漏區(qū)無結(jié)化,簡化了制造工藝;同時為了提高開態(tài)隧穿電流,源區(qū)采用不同于溝道的P型GaAsSb材料,實現(xiàn)異質(zhì)源區(qū)/溝道結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)能有效增大關(guān)態(tài)隧穿勢壘寬度,降低泄漏電流,同時增加開態(tài)帶帶隧穿概率,提升開態(tài)電流,從而獲得低亞閾值斜率和高開關(guān)比。仿真結(jié)果表明,在0.4V工作電壓下,該新型GaAs基無漏結(jié)隧穿場效應(yīng)晶體管的開態(tài)電流為3.66mA,關(guān)態(tài)電流為4.35×10~(-13) A,開關(guān)電流比高達10~(10),平均亞閾值斜率為27mV/dec,漏致勢壘降低效應(yīng)值為126。
【作者單位】： 西安交通大學軟件學院;西安交通大學電子與信息工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 隧穿 場效應(yīng)晶體管 平均亞閾值斜率 隧穿勢壘
【基金】：國家自然科學基金資助項目(611760380)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 隨著集成電路特征尺寸的繼續(xù)減小,目前廣泛應(yīng)用的金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOS-FET)將面臨更加嚴峻的挑戰(zhàn),如短溝效應(yīng)加劇、泄漏電流增大、開關(guān)電流比降低等[1]。隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)具有較好的亞閾值特性和較小的泄漏電流,是有效解決以上問題的一種新型器件。不同于M

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