本文關鍵詞：非晶硅薄膜和結晶硅薄膜的拉曼光譜

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【摘要】：以玻璃為襯底,利用等離子體增強化學氣相沉積工藝制備了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通過準分子激光晶化方式獲得結晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光顯微拉曼光譜儀對非晶硅薄膜、結晶硅薄膜這兩類薄膜的拉曼光譜效應和結晶質(zhì)量等進行了定量分析。結果表明:當激光功率達到某一閾值時,非晶硅樣品發(fā)生了晶化,即由非晶硅轉化成了結晶硅,特征峰發(fā)生了46.8 cm-1的位移,薄膜的結晶性質(zhì)發(fā)生根本變化。而結晶硅樣品在激光功率變化過程中僅因能量積聚造成了薄膜內(nèi)應力變化,激光能量消散后內(nèi)應力恢復原來的狀態(tài),特征峰在±5.4 cm~(-1)位移內(nèi)波動,薄膜的結晶性質(zhì)并未發(fā)生明顯變化,表明薄膜處于穩(wěn)定的晶態(tài)結構。
【作者單位】： 上海工程技術大學材料工程學院;
【關鍵詞】： 非晶硅薄膜 結晶硅薄膜 準分子激光晶化 拉曼光譜 拉曼位移
【基金】：國家自然科學青年基金資助項目(61404082) 上海市市級大學生創(chuàng)新訓練資助項目(cs1505010)
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： Tel.:18321336972;E-mail:1943605835@qq.com通信作者:張霞(1980-),女,湖北荊門人,副教授,碩士生導師,主要研究方向為半導體薄膜。Tel.:021-67791205;E-mail:zhangxia@sues.edu.cn0引言以非晶硅(α-Si)和多晶硅(nc-Si)薄膜為代表的半導體材料,在顯示、存儲和節(jié)能等領域均有廣

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