本文關(guān)鍵詞：高溫貯存對(duì)GaAs光電陰極光電發(fā)射性能影響研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：為了研究高溫貯存對(duì)GaAs光電陰極光電發(fā)射性能的影響,以2只GaAs光電陰極像增強(qiáng)器為研究對(duì)象,參照美軍標(biāo)MIL-STD-810F規(guī)定,對(duì)它們分別進(jìn)行了70℃、48 h高溫貯存實(shí)驗(yàn)。在實(shí)驗(yàn)過程中間隔一定時(shí)間測量一次其光電陰極靈敏度,隨后利用Matllab軟件和量子效率公式,計(jì)算了GaAs光電陰極參數(shù),擬合了量子效率曲線。結(jié)果表明,GaAs光電陰極在70℃經(jīng)過3~4 h貯存后,GaAs體材料與Cs-0表面層材料形成的光電發(fā)射層將達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。研究成果為高性能GaAs光電陰極像增強(qiáng)器研制提供了技術(shù)支撐。
【作者單位】： 微光夜視技術(shù)重點(diǎn)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 高溫貯存 砷化鎵光電陰極 量子效率 靈敏度
【基金】：重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):BJ2014004)
【分類號(hào)】：TN144
【正文快照】： 具有負(fù)電子親和勢(NEA)的GaAs光電陰極是當(dāng)前三代微光像增強(qiáng)器的核心部件,其光電發(fā)射性能已得到了很大提高,光電陰極靈敏度已達(dá)到2100fjLA/lm以上⑴。眾多從業(yè)者對(duì)GaAs光電陰極光電發(fā)射特性以及穩(wěn)定性等方面已開展了大量研究工作[2-7]。由于GaAs光電陰極像增強(qiáng)器應(yīng)用時(shí)不可避

【參考文獻(xiàn)】

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8 陳釗;丁z訝，

本文編號(hào)：496810