本文關(guān)鍵詞：高溫貯存對GaAs光電陰極光電發(fā)射性能影響研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：為了研究高溫貯存對GaAs光電陰極光電發(fā)射性能的影響,以2只GaAs光電陰極像增強器為研究對象,參照美軍標MIL-STD-810F規(guī)定,對它們分別進行了70℃、48 h高溫貯存實驗。在實驗過程中間隔一定時間測量一次其光電陰極靈敏度,隨后利用Matllab軟件和量子效率公式,計算了GaAs光電陰極參數(shù),擬合了量子效率曲線。結(jié)果表明,GaAs光電陰極在70℃經(jīng)過3~4 h貯存后,GaAs體材料與Cs-0表面層材料形成的光電發(fā)射層將達到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。研究成果為高性能GaAs光電陰極像增強器研制提供了技術(shù)支撐。
【作者單位】： 微光夜視技術(shù)重點驗室;
【關(guān)鍵詞】： 高溫貯存 砷化鎵光電陰極 量子效率 靈敏度
【基金】：重點實驗室基金項目(批準號:BJ2014004)
【分類號】：TN144
【正文快照】： 具有負電子親和勢(NEA)的GaAs光電陰極是當前三代微光像增強器的核心部件,其光電發(fā)射性能已得到了很大提高,光電陰極靈敏度已達到2100fjLA/lm以上⑴。眾多從業(yè)者對GaAs光電陰極光電發(fā)射特性以及穩(wěn)定性等方面已開展了大量研究工作[2-7]。由于GaAs光電陰極像增強器應用時不可避

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本文編號：496810