本文關(guān)鍵詞：一種IGBT串聯(lián)功率模塊的設(shè)計(jì)，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：均壓控制技術(shù)是IGBT串聯(lián)應(yīng)用的關(guān)鍵。提出將IGBT的均壓過程分為開通動(dòng)態(tài)過程、關(guān)斷動(dòng)態(tài)過程、拖尾電流階段和穩(wěn)態(tài)過程均壓4個(gè)階段。動(dòng)態(tài)過程采用了門極補(bǔ)償電容網(wǎng)絡(luò);針對(duì)拖尾電流衰減時(shí)間常數(shù)不一致的特點(diǎn),給出了RC均壓回路中吸收電容的計(jì)算公式;穩(wěn)態(tài)階段采用了并聯(lián)均壓電阻。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一種IGBT串聯(lián)功率模塊,進(jìn)行了高壓大電流下2個(gè)IGBT串聯(lián)的均壓試驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)果表明:當(dāng)串聯(lián)母線總電壓為2 k V(單個(gè)IGBT最大峰值電壓1.85 k V)、回路電流為2 k A時(shí),所設(shè)計(jì)的IGBT串聯(lián)功率模塊能夠?qū)崿F(xiàn)開通關(guān)斷周期的全過程均壓,動(dòng)態(tài)和穩(wěn)態(tài)的電壓不均衡度均小于5%。
【作者單位】： 西安許繼電力電子技術(shù)有限公司;許繼集團(tuán)有限公司;
【關(guān)鍵詞】： IGBT串聯(lián) 功率模塊 動(dòng)態(tài)過程均壓 拖尾電流階段
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,高壓大功率設(shè)備功率模塊的設(shè)計(jì)為例,將IGBT的均壓過程分為對(duì)IGBT的耐壓等級(jí)提出了更高的要求。然而單開通動(dòng)態(tài)過程、關(guān)斷動(dòng)態(tài)過程、拖尾電流過程和個(gè)IGBT耐壓等級(jí)有限,IGBT器件的串聯(lián)應(yīng)用可穩(wěn)態(tài)過程均壓4個(gè)階段。其中IGBT開通關(guān)斷的以滿足裝置的電壓等

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本文編號(hào)：496874