本文關鍵詞：IGBT模塊開關損耗計算方法綜述，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：IGBT模塊開關損耗計算方法有基于物理方法的損耗計算法和基于數學方法的損耗計算法�；谖锢矸椒ǖ膿p耗計算是采用軟件仿真的辦法建立相應的物理模型得到開關動態(tài)波形,計算損耗;基于數學方法的損耗計算是采用各種數學的方法建模,計算損耗。對各種開關損耗計算法進行討論,并給出其相應的優(yōu)缺點。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電氣工程學院;
【關鍵詞】： IGBT模塊 開關損耗 損耗計算 損耗模型
【基金】：國家科技支撐計劃(2015BAA09B01) 國家自然科學基金資助項目(51377044) 河北省科技計劃項目(14214503D,13214303D)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 0引言絕緣柵型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是由MOSFET和功率雙極型晶體管復合而成的一種器件。IGBT既具有MOSFET的高速開關及電壓驅動特性,又有功率雙極型晶體管(BJT)的低飽和電壓特性及易實現較大電流的能力,在工業(yè)、能源、交通等場合越來越不可取代[1]

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本文編號：494056