本文關(guān)鍵詞：IGBT模塊開關(guān)損耗計算方法綜述，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：IGBT模塊開關(guān)損耗計算方法有基于物理方法的損耗計算法和基于數(shù)學(xué)方法的損耗計算法�；谖锢矸椒ǖ膿p耗計算是采用軟件仿真的辦法建立相應(yīng)的物理模型得到開關(guān)動態(tài)波形,計算損耗;基于數(shù)學(xué)方法的損耗計算是采用各種數(shù)學(xué)的方法建模,計算損耗。對各種開關(guān)損耗計算法進(jìn)行討論,并給出其相應(yīng)的優(yōu)缺點。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： IGBT模塊 開關(guān)損耗 損耗計算 損耗模型
【基金】：國家科技支撐計劃(2015BAA09B01) 國家自然科學(xué)基金資助項目(51377044) 河北省科技計劃項目(14214503D,13214303D)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 0引言絕緣柵型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是由MOSFET和功率雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件。IGBT既具有MOSFET的高速開關(guān)及電壓驅(qū)動特性,又有功率雙極型晶體管(BJT)的低飽和電壓特性及易實現(xiàn)較大電流的能力,在工業(yè)、能源、交通等場合越來越不可取代[1]

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3 吳鳳U

本文編號：494056