本文關(guān)鍵詞：6500V超高壓、大電流IGBT芯片的工藝研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：為了突破軌道交通、智能電網(wǎng)用等超高壓IGBT的技術(shù)瓶頸,上海先進(jìn)半導(dǎo)體聯(lián)合中車集團(tuán)下的上海北車永電和西安永電共同開發(fā)了6 500V超高壓IGBT芯片。IGBT芯片的關(guān)鍵性技術(shù)主要包括場截止技術(shù)、終端保護(hù)技術(shù)、背面工藝,以及背面圖形技術(shù)的研究。6 500V/25A IGBT芯片產(chǎn)品通過了中車集團(tuán)的產(chǎn)品鑒定,完成了大于10萬公里的鐵路試運(yùn)行。
【作者單位】： 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 超高壓器件 V
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 1引言 超高壓、大電流IGBT在軌道牽引、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。在軌道牽引應(yīng)用中,6 500VVIGBT作為關(guān)鍵的電學(xué)元件,被用在逆變、斬波,以及整流等變流裝置中。但是,超高壓IGBT同傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比,其工藝技術(shù)具有極大的難度。目前我國的超高壓IGBT市場主要被英飛凌

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：493947