本文關鍵詞：硅鍺量子阱結(jié)構(gòu)在硅異質(zhì)結(jié)太陽電池中應用的數(shù)值模擬，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：利用半導體工藝和器件仿真軟件silvaco TCAD(Technology Computer Aided Design),模擬研究了采用硅/硅鍺合金(silicon/silicon germanium alloy,Si/Si_(1-x)Ge_x)量子阱結(jié)構(gòu)作為吸收層的薄膜晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池各項性能.模擬結(jié)果顯示,長波波段光學吸收隨鍺含量的增加而增加,而開路電壓則因Si_(1-x)Ge_x)層帶隙的降低而下降.鍺含量為0.25時,短路電流密度的增加補償了開路電壓的衰減,效率提升0.2%.氫化非晶硅/晶體硅(a-Si:H/c-Si)界面空穴密度以及Si_(1-x)Ge_x)量子阱的體空穴載流子濃度制約著空穴費米能級的位置,進而影響到開路電壓的大小.隨著鍺含量增加,a-Si:H/c-Si界面缺陷對開壓的影響降低,Si_(1-x)Ge_x)量子阱的體缺陷對開壓的影響則相應增加.高效率含Si_(1-x)Ge_x)量子阱結(jié)構(gòu)的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備需要a-Si:H/c-Si界面缺陷的良好鈍化以及高質(zhì)量Si_(1-x)Ge_x)量子阱的生長.
【作者單位】： 上海大學理學院;中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;
【關鍵詞】： Si/Si-xGex量子阱 異質(zhì)結(jié)太陽電池 界面復合 a-Si H/c-Si
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61204005)資助的課題~~
【分類號】：O471.1;TM914.4
【正文快照】： 1引言 薄膜晶體硅異質(zhì)結(jié)(heterojunction with intrinsic thin layer,HIT)太陽電池因其開路電壓高、制備工藝溫度低和晶體硅(crystalline silicon,簡記為c-Si)可薄型化趨向耗材少[1]等優(yōu)點而受到廣泛關注.然而,光入射面的透明導電氧化物(transparent conducting oxides,TCO)

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 張仿清 ,陳光華 ,劉智,王會生 ,梁素蘭;GD-a-Si_(1—X)C_X∶H 薄膜的光吸收和光電導[J];蘭州大學學報;1982年03期

  本文關鍵詞：硅鍺量子阱結(jié)構(gòu)在硅異質(zhì)結(jié)太陽電池中應用的數(shù)值模擬，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號：417289