本文關(guān)鍵詞：物理型硬件木馬失效機理及檢測方法，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：對兩種物理型硬件木馬造成芯片退化或失效的機理進行了詳細分析.通過使用ATLAS二維器件仿真系統(tǒng)并結(jié)合Smart Spice電路邏輯仿真器,模擬了兩種物理型硬件木馬對反相器邏輯電路輸出特性的影響.使用ATHENA工藝仿真系統(tǒng)模擬了摻雜離子注入工藝過程,實現(xiàn)了摻雜型硬件木馬的金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET)器件;使用熱載流子注入退化模型對ATLAS仿真器件進行熱載流子壓力測試,以模擬熱載流子注入型硬件木馬注入MOSFET器件并造成器件退化失效的過程,分別將上述摻雜型硬件木馬和熱載流子注入型硬件木馬的MOSFET器件與另一個正常MOSFET器件組成同樣的反相器邏輯電路.反相器使用Spice邏輯電路仿真輸出DC直流、AC瞬態(tài)傳輸特性以研究物理型硬件木馬對電路輸出特性的影響.為了研究MOSFET器件的物理特性本身對硬件木馬的影響,在不同溫度不同寬長比(W/L)下同樣對反相器進行Spice電路邏輯輸出仿真.本文分析了離子摻雜工藝、熱載流子注入壓力測試形成的物理型硬件木馬隨壓力強度、溫度的變化對邏輯電路輸出特性的影響.通過結(jié)果對比分析得出了含有物理型硬件木馬的邏輯電路在DC直流輸出特性上的擾動比AC瞬態(tài)傳輸特性更明顯的結(jié)論.因此,本文提出了一種針對物理型硬件木馬的檢測流程.同時,該檢測流程是一種具有可操作性的檢測物理型硬件木馬的方法.
【作者單位】： 中國信息安全測評中心安全檢測處;
【關(guān)鍵詞】： 硬件木馬 熱載流子注入 器件退化 失效分析
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61402536)資助的課題~~
【分類號】：TN407
【正文快照】： 到現(xiàn)在,沒有任何基于側(cè)信道分析硬件木馬的技術(shù)1引言作為評估標準或被認定是評估對象的測試指導[8].對于邏輯級硬件木馬的檢測,采用對芯片開封、剖縮短開發(fā)周期、整合優(yōu)勢技術(shù)、降低制造成本片等逆向工程后,再通過光學圖像識別系統(tǒng)(包括成為IC芯片制造全球化的主要動力,隨著集

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5 ;半導體物理[J];電子科技文摘;2006年01期

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8 陳學良,王自惠;非對稱輕摻雜漏(LDD)MOSFET[J];半導體學報;1990年02期

9 徐靜平,于軍;N_2O氮化n-MOSFET's低溫可靠性研究[J];華中理工大學學報;1999年12期

10 游海龍;藍建春;范菊平;賈新章;查薇;;高功率微波作用下熱載流子引起n型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性退化研究[J];物理學報;2012年10期

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2 陳勇;MOSFET熱載流子退化效應的研究[D];電子科技大學;2001年

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8 馮志剛;I/O PMOSFET熱載流子損傷機理研究[D];上海交通大學;2008年

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