本文關(guān)鍵詞：用于遠紅外探測的Si:P阻擋雜質(zhì)帶紅外探測器研制，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：提出了全外延技術(shù)方案制備阻擋雜質(zhì)帶薄膜,避免了離子注入制備背電極層影響外延薄膜質(zhì)量的技術(shù)難點.基于硅器件工藝設(shè)計制作了Si:P阻擋雜質(zhì)帶紅外探測器.測量了器件的光電流響應(yīng)譜和暗電流特性曲線,指認了疊加在光電流響應(yīng)譜上的尖銳雜質(zhì)峰對應(yīng)阻擋層中磷原子的雜質(zhì)躍遷.研究了器件在低溫下小偏壓范圍內(nèi)的暗電流起源.通過對計算結(jié)果分析,排除了該區(qū)域暗電流起源于熱激發(fā)電導(dǎo)和跳躍式電導(dǎo)的可能,指出暗電流來自器件對冷屏的光電響應(yīng).器件工作溫度5 K,工作偏壓1.6 V時,響應(yīng)波段覆蓋2.5~40μm,峰值波長28.8μm,峰值響應(yīng)率20.1 A/W,峰值探測率3.7×1013cm·Hz1/2/W(背景光子通量低于1013ph/cm2·s).
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 阻擋雜質(zhì)帶 暗電流 遠紅外 太赫茲
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(2011CB922004) 國家自然科學(xué)基金(61290304,61376053) 上海技術(shù)物理研究所知識創(chuàng)新項目(QDX-64)資助的課題~~
【分類號】：TN215
【正文快照】： PACS:85.60.Gz,61.72.-y,61.72.-y,73.20.Hb引言阻擋雜質(zhì)帶(blocked impurity band,BIB)紅外探測器在天文光子和成像探測領(lǐng)域都有重要應(yīng)用,具有覆蓋波段寬、靈敏度高、響應(yīng)速度快以及抗輻射性能高等優(yōu)點,是紅外天文應(yīng)用中探測波長大于5微米的首選紅外探測器[1-6].BIB探測器利

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