本文關(guān)鍵詞：用于遠(yuǎn)紅外探測(cè)的Si:P阻擋雜質(zhì)帶紅外探測(cè)器研制，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：提出了全外延技術(shù)方案制備阻擋雜質(zhì)帶薄膜,避免了離子注入制備背電極層影響外延薄膜質(zhì)量的技術(shù)難點(diǎn).基于硅器件工藝設(shè)計(jì)制作了Si:P阻擋雜質(zhì)帶紅外探測(cè)器.測(cè)量了器件的光電流響應(yīng)譜和暗電流特性曲線,指認(rèn)了疊加在光電流響應(yīng)譜上的尖銳雜質(zhì)峰對(duì)應(yīng)阻擋層中磷原子的雜質(zhì)躍遷.研究了器件在低溫下小偏壓范圍內(nèi)的暗電流起源.通過對(duì)計(jì)算結(jié)果分析,排除了該區(qū)域暗電流起源于熱激發(fā)電導(dǎo)和跳躍式電導(dǎo)的可能,指出暗電流來自器件對(duì)冷屏的光電響應(yīng).器件工作溫度5 K,工作偏壓1.6 V時(shí),響應(yīng)波段覆蓋2.5~40μm,峰值波長(zhǎng)28.8μm,峰值響應(yīng)率20.1 A/W,峰值探測(cè)率3.7×1013cm·Hz1/2/W(背景光子通量低于1013ph/cm2·s).
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 阻擋雜質(zhì)帶 暗電流 遠(yuǎn)紅外 太赫茲
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2011CB922004) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61290304,61376053) 上海技術(shù)物理研究所知識(shí)創(chuàng)新項(xiàng)目(QDX-64)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TN215
【正文快照】： PACS:85.60.Gz,61.72.-y,61.72.-y,73.20.Hb引言阻擋雜質(zhì)帶(blocked impurity band,BIB)紅外探測(cè)器在天文光子和成像探測(cè)領(lǐng)域都有重要應(yīng)用,具有覆蓋波段寬、靈敏度高、響應(yīng)速度快以及抗輻射性能高等優(yōu)點(diǎn),是紅外天文應(yīng)用中探測(cè)波長(zhǎng)大于5微米的首選紅外探測(cè)器[1-6].BIB探測(cè)器利

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  本文關(guān)鍵詞：用于遠(yuǎn)紅外探測(cè)的Si:P阻擋雜質(zhì)帶紅外探測(cè)器研制，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：414762