發(fā)布時間：2025-04-23 04:58

　　 基于微米球刻蝕技術(shù)設(shè)計了一種制備多量子阱紅外探測器(QWIP)表面二維光柵的新型工藝,通過改變微米球的直徑可以為不同探測波長的QWIP制備表面二維光柵,有效降低了制備成本和技術(shù)難度。采用GaAs襯底作為實驗片制作光柵、聚苯乙烯(PS)材質(zhì)小球作為表面掩膜,對小球的單層排布、PS小球刻蝕和光柵的刻蝕等工藝進(jìn)行了深入的實驗研究,并得出了最優(yōu)的工藝參數(shù)。制備出了具有良好均勻性和一致性的二維光柵結(jié)構(gòu)。通過傅里葉光譜儀測得表面光柵的耦合波長為6～9μm。最后研究了不同工藝條件對耦合結(jié)果的影響,證實當(dāng)光柵直徑為PS球直徑的0.74倍時獲得的耦合效果最優(yōu)。

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗設(shè)計
    1.1 光柵周期和刻蝕深度的設(shè)計
    1.2 小球刻蝕半徑的計算
2 實驗過程
    2.1 小球鋪設(shè)
    2.2 RIE刻蝕小球半徑
    2.3 ICP刻蝕GaAs
    2.4 光柵表面小球的去除
3 結(jié)果和討論
    3.1 PS小球鋪設(shè)均勻性分析
    3.2 RIE刻蝕時間與小球直徑的變化關(guān)系
    3.3 刻蝕GaAs時刻蝕時間與刻蝕深度的關(guān)系
    3.4 傅里葉光譜儀結(jié)果分析
4 結(jié)論



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