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ZnO/Zn 1-x Mg x O非對(duì)稱雙量子阱中激子光吸收

發(fā)布時(shí)間:2025-04-22 22:40
  對(duì)于ZnO/Zn1-xMgxO非對(duì)稱雙量子阱(ADQW),當(dāng)Mg組分在0.371-xMgxO存在纖鋅礦和閃鋅礦兩相.本文著重探討此區(qū)間內(nèi)混相結(jié)構(gòu)激子光吸收的特點(diǎn).計(jì)入自發(fā)極化與壓電極化誘生的內(nèi)建電場(chǎng),并引入Hartree勢(shì),在壘材料分別為纖鋅礦和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的情況下,利用數(shù)值解法獲得激子躍遷光吸收系數(shù)(OAC),再將兩種結(jié)構(gòu)的OAC用我們提出的權(quán)重模型擬合,獲得激子光吸收的特性,并討論其尺寸效應(yīng)和三元混晶效應(yīng).本文在綜述ZnO基半導(dǎo)體的相關(guān)性質(zhì)的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)給出ZnO/Zn1-xMgxO單、雙和多阱材料有關(guān)激子光吸收研究的發(fā)展現(xiàn)狀與存在的問(wèn)題.針對(duì)ZnO/Zn1-xMgxO ADQW,在有效質(zhì)量近似下,自洽求解薛定諤方程和泊松方程得到電子(空穴)態(tài),進(jìn)而,結(jié)合數(shù)值計(jì)算和變分法得到激子的各個(gè)能級(jí),再利用密度矩陣原理獲得激子從基態(tài)躍遷到第一激發(fā)態(tài)(第一種),第一激發(fā)態(tài)躍遷到第二激發(fā)態(tài)(第二種)以及基態(tài)...

【文章頁(yè)數(shù)】:33 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 Mg摻雜ZnO基半導(dǎo)體的性質(zhì)
        1.1.1 ZnMgO的混相特性
        1.1.2 Mg摻雜ZnO基量子阱的光電特性
    1.2 論文內(nèi)容安排
第二章 理論模型
第三章 數(shù)值計(jì)算與討論
    3.1 Hartree勢(shì)和內(nèi)建電場(chǎng)對(duì)電子(空穴)波函數(shù)的影響
    3.2 激子態(tài)間躍遷光吸收的尺寸效應(yīng)和三元混晶效應(yīng)
    3.3 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間完成的論文



本文編號(hào):4040822

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