白光發(fā)光二極管(white light-emitting diode)簡稱白光LED,由于能耗低、壽命長、響應(yīng)快、環(huán)境友好等優(yōu)點被譽為第四代照明光源。其主流實現(xiàn)方式是使用藍光LED芯片結(jié)合黃色YAG:Ce熒光粉從而復(fù)合形成白光。但由于這類白光LED器件光譜中缺少紅光,造成了相關(guān)色溫高和顯色指數(shù)低的問題。本文采用有機無機雜化鈣鈦礦量子點作為YAG:Ce基白光LED的紅光組分,并在量子點膠體溶液中通過化學(xué)鍵合作用將量子點包覆在YAG:Ce顆粒表面,以避免量子點的團聚,最終達到改善白光LED上述問題的目的。本工作圍繞有機無機雜化鈣鈦礦量子點的合成及其在YAG:Ce顆粒表面的包覆展開,首先研究了合成過程中鈣鈦礦前驅(qū)體體積以及不同種類的胺衍生物表面配體對量子點的形貌以及光學(xué)性能的影響;接著在對YAG:Ce顆粒進行表面氨基化以及量子點包覆后,研究了氨基功能化以及量子點包覆對YAG:Ce熒光粉光學(xué)性能的影響;最后制作出白光LED器件,研究了量子點的包覆對白光LED光學(xué)性能的影響。實驗研究表明:(1)在使用較低體積的前驅(qū)體溶液合成量子點時,由于前驅(qū)物量較少,混合溶液中僅有少量晶核產(chǎn)生,導(dǎo)致鈣鈦礦晶體的過...

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 白光LED簡介
        1.2.1 白光LED的實現(xiàn)方式
        1.2.2 YAG:Ce熒光粉
    1.3 常用紅色發(fā)光材料
        1.3.1 硫化物
        1.3.2 氮化物
        1.3.3 其他稀土紅色發(fā)光材料
        1.3.4 量子點發(fā)光材料
    1.4 鈣鈦礦量子點發(fā)光材料
        1.4.1 鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)
        1.4.2 鈣鈦礦量子點
    1.5 相關(guān)性能指標
        1.5.1 量子產(chǎn)率
        1.5.2 熒光壽命
        1.5.3 顯色指數(shù)
        1.5.4 相關(guān)色溫
        1.5.5 發(fā)光效率
        1.5.6 CIE色坐標
    1.6 本課題研究內(nèi)容及意義
        1.6.1 研究內(nèi)容
        1.6.2 研究意義
第2章 實驗部分
    2.1 實驗原料與設(shè)備
        2.1.1 實驗原料
        2.1.2 實驗設(shè)備
    2.2 實驗方法
        2.2.1 鈣鈦礦量子點的合成
        2.2.2 YAG:Ce表面氨基功能化
        2.2.3 鈣鈦礦量子點包覆YAG:Ce熒光粉
    2.3 分析與測試
        2.3.1 相組成分析
        2.3.2 微觀形貌分析
        2.3.3 發(fā)光性能分析
        2.3.4 表面分析
        2.3.5 電致發(fā)光性能分析
第3章 前驅(qū)體體積對量子點光學(xué)性能影響
    3.1 引言
    3.2 實驗方法
        3.2.1 MABr(MA=CH3NH3+)及OABr(OA=C8H16NH3+)的合成
        3.2.2 MAPb Br3 量子點的合成
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 MAPb Br3 量子點的合成
        3.3.2 MAPb Br3 量子點的透射電鏡分析
        3.3.3 MAPb Br3 量子點的時間穩(wěn)定性
    3.4 本章小結(jié)
第4章 配體種類對量子點光學(xué)性能影響
    4.1 引言
    4.2 實驗方案
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 MAPb Br3 量子點的合成
        4.3.2 MAPb Br3 量子點的表面狀態(tài)
        4.3.3 MAPb Br3 量子點的熒光壽命
    4.4 本章小結(jié)
第5章 QDs@YAG:Ce的制備及發(fā)光性能研究
    5.1 引言
    5.2 實驗方案
        5.2.1 MAPb Br3-x Ix量子點的合成
        5.2.2 YAG:Ce表面氨基功能化
        5.2.3 QDs@YAG:Ce的制備
        5.2.4 白光LED器件的制備
    5.3 結(jié)果與討論
        5.3.1 MAPb Br3-x Ix量子點的合成
        5.3.2 YAG:Ce的表面氨基化
        5.3.3 QDs@YAG:Ce的表征
        5.3.4 白光LED器件的發(fā)光性能
    5.4 本章小結(jié)
第6章 結(jié)論及展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻
碩士研究生期間發(fā)表論文
致謝



本文編號：4036783