提出了一種基于印制電路板(PCB)工藝的嵌入式微帶環(huán)行器設(shè)計(jì)思路。以相應(yīng)的結(jié)環(huán)行器設(shè)計(jì)理論為基礎(chǔ),通過(guò)電磁仿真軟件進(jìn)行仿真優(yōu)化,設(shè)計(jì)了一種基于PCB工藝的嵌入式X波段雙結(jié)微帶環(huán)行器。對(duì)實(shí)驗(yàn)樣機(jī)進(jìn)行了測(cè)試,結(jié)果顯示該微帶環(huán)行器在8～12GHz范圍內(nèi)具有良好的環(huán)行性能:端口電壓駐波比小于1.4,單結(jié)隔離度大于17 dB,單結(jié)傳輸損耗小于0.5 dB,雙結(jié)傳輸損耗小于1.2 dB,雙結(jié)隔離度大于28 dB,證明了該嵌入式微帶環(huán)行器設(shè)計(jì)思路的可行性。在系統(tǒng)集成化水平越來(lái)越高的今天,該設(shè)計(jì)具有一定的應(yīng)用潛力。

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圖2嵌入式微帶環(huán)行器結(jié)構(gòu)組成示意圖

(1)11/1qqqq（）（）(2)同時(shí)，環(huán)行器相對(duì)工作帶寬2δ與κ/有以下關(guān)系：2(3)對(duì)于低場(chǎng)器件在剛好飽和磁化狀態(tài)下可認(rèn)為≈1，因此在器件相對(duì)帶寬2δ不變的情況下對(duì)P值選擇應(yīng)當(dāng)修正為P/q，修正后P值約為0.69，從而得鐵氧體材料飽和磁化強(qiáng)度約為2500G，本設(shè)計(jì)采用飽和磁....

圖3嵌入式微帶環(huán)行器仿真模型

舊杓撇捎檬嶙唇嵬夾謂峁梗?嶙唇岵捎媒?內(nèi)引入阻抗的方式雖然相對(duì)復(fù)雜，但其結(jié)阻抗設(shè)計(jì)具有較大的靈活性，為減小器件的平面尺寸提供了更多可能；(2)鐵氧體，根據(jù)器件帶寬等技術(shù)指標(biāo)要求選擇相應(yīng)材料類別和飽和磁化強(qiáng)度；(3)永磁體，選擇表面場(chǎng)大小適合的釤鈷磁體為鐵氧體提供磁化外場(chǎng)；(4)不....

圖4嵌入式雙結(jié)微帶環(huán)行器的(a

高原等：基于PCB工藝的X波段嵌入式鐵氧體微帶環(huán)行器設(shè)計(jì)·41·圖4嵌入式雙結(jié)微帶環(huán)行器的(a)回波損耗及(b)隔離度仿真結(jié)果要充分考慮微帶電路各個(gè)尺寸對(duì)公差的敏感程度以減少在加工裝配過(guò)程中的容錯(cuò)性。仿真分析結(jié)果如圖4所示，表明環(huán)行器的四個(gè)端口回波損耗均大于20dB，單結(jié)隔離度S....

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