基于PCB工藝的X波段嵌入式鐵氧體微帶環(huán)行器設(shè)計
發(fā)布時間:2024-05-18 16:01
提出了一種基于印制電路板(PCB)工藝的嵌入式微帶環(huán)行器設(shè)計思路。以相應(yīng)的結(jié)環(huán)行器設(shè)計理論為基礎(chǔ),通過電磁仿真軟件進(jìn)行仿真優(yōu)化,設(shè)計了一種基于PCB工藝的嵌入式X波段雙結(jié)微帶環(huán)行器。對實驗樣機進(jìn)行了測試,結(jié)果顯示該微帶環(huán)行器在8~12GHz范圍內(nèi)具有良好的環(huán)行性能:端口電壓駐波比小于1.4,單結(jié)隔離度大于17 dB,單結(jié)傳輸損耗小于0.5 dB,雙結(jié)傳輸損耗小于1.2 dB,雙結(jié)隔離度大于28 dB,證明了該嵌入式微帶環(huán)行器設(shè)計思路的可行性。在系統(tǒng)集成化水平越來越高的今天,該設(shè)計具有一定的應(yīng)用潛力。
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【部分圖文】:
本文編號:3977101
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圖2嵌入式微帶環(huán)行器結(jié)構(gòu)組成示意圖
(1)11/1qqqq()()(2)同時,環(huán)行器相對工作帶寬2δ與κ/有以下關(guān)系:2(3)對于低場器件在剛好飽和磁化狀態(tài)下可認(rèn)為≈1,因此在器件相對帶寬2δ不變的情況下對P值選擇應(yīng)當(dāng)修正為P/q,修正后P值約為0.69,從而得鐵氧體材料飽和磁化強度約為2500G,本設(shè)計采用飽和磁....
圖3嵌入式微帶環(huán)行器仿真模型
舊杓撇捎檬嶙唇嵬夾謂峁梗?嶙唇岵捎媒?內(nèi)引入阻抗的方式雖然相對復(fù)雜,但其結(jié)阻抗設(shè)計具有較大的靈活性,為減小器件的平面尺寸提供了更多可能;(2)鐵氧體,根據(jù)器件帶寬等技術(shù)指標(biāo)要求選擇相應(yīng)材料類別和飽和磁化強度;(3)永磁體,選擇表面場大小適合的釤鈷磁體為鐵氧體提供磁化外場;(4)不....
圖4嵌入式雙結(jié)微帶環(huán)行器的(a
高原等:基于PCB工藝的X波段嵌入式鐵氧體微帶環(huán)行器設(shè)計·41·圖4嵌入式雙結(jié)微帶環(huán)行器的(a)回波損耗及(b)隔離度仿真結(jié)果要充分考慮微帶電路各個尺寸對公差的敏感程度以減少在加工裝配過程中的容錯性。仿真分析結(jié)果如圖4所示,表明環(huán)行器的四個端口回波損耗均大于20dB,單結(jié)隔離度S....
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