硒吩衍生物由于分子間容易產(chǎn)生Se···Se相互作用而使固態(tài)下分子排列更加緊密有序,分子間電荷轉(zhuǎn)移增強(qiáng),有助于載流子的傳輸,并逐漸應(yīng)用于有機(jī)光電材料領(lǐng)域。本論文以硒吩為起始原料,通過(guò)改變硒吩單元組合方式以及封端基團(tuán)中烷基構(gòu)型,設(shè)計(jì)合成了六種硒吩基有機(jī)半導(dǎo)體材料。通過(guò)真空沉積法和溶液法加工其薄膜,構(gòu)筑底柵頂接觸式有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件并表征其性能,以探究其結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系。具體研究?jī)?nèi)容如下:1)六種硒吩基有機(jī)半導(dǎo)體材料的合成:以硒吩為起始原料,通過(guò)醛基化、金屬催化碳?xì)浠罨�、McMurry反應(yīng)、溴代、TMS基團(tuán)保護(hù)、溴遷移碘代、Sonogashira Coupling及硒粉關(guān)環(huán)等反應(yīng)合成了三種不同組合方式的二硒吩雙醛基化衍生物,即:E-5,5’-(乙烯-1,2-叉基)二(硒吩-2-甲醛),2,2’-二硒吩-5,5’-二甲醛和硒吩[3,2-b]并硒吩-2,5-二甲醛。醛基化產(chǎn)物經(jīng)Wittig反應(yīng)合成了六種基于不同組合方式二硒吩的有機(jī)半導(dǎo)體材料,即:1,2-二(5-(4-辛基苯乙烯基)-硒吩)-2-乙烯(1,總產(chǎn)率:41.8%),5,5’-二(4-辛基苯乙烯基)-2,2’-二硒吩(2,總產(chǎn)率:...

【文章頁(yè)數(shù)】：114 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖

0.4(hole)QQT(CN)4(SC)200-[49]20160.942,6-Bis(4-pentyphylethynyl)anthracen(v)-[50]0.63(s)20172.62-EO-DNTT(s)-[51]9.70(electron)P2F....

圖1-2底柵頂接觸場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，W為溝道寬度，L為溝道長(zhǎng)度

般優(yōu)于底接觸器件。但是由于頂接觸結(jié)構(gòu)并構(gòu)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)際應(yīng)用。應(yīng)晶體管的工作原理基于自由載流子向半導(dǎo)體中可控注入的有源注入載流子，漏極(Drain)從溝道流出載流子相隔，源極和漏極直接與有機(jī)半導(dǎo)體層接觸柵極是電容器的一個(gè)平板，源極和漏極之間對(duì)柵極施加電壓(VG)時(shí)，....

圖1-4薄膜三種生長(zhǎng)模式的示意圖

沉積(vacuumdeposition)技術(shù)是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管最常用的成膜技術(shù)料放置于真空室內(nèi)，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發(fā)，蒸發(fā)出會(huì)吸附到放置于真空室內(nèi)的基底上形成薄膜。該方法適用于絕大多性高的有機(jī)半導(dǎo)體材料，但是儀器成本較高，所消耗的樣品較多，備。沉積過(guò)程中薄膜的生....

圖1-5化合物四硫雜[22]環(huán)輪烯[2,1,2,1]在OTS修飾基底上真空沉積50nm薄膜AFM圖

基于不同組合方式二硒吩的有機(jī)半導(dǎo)體材料的合成及其場(chǎng)效應(yīng)性能研究器件性能。2007年，Zhao等人采用真空沉積法研究了四硫雜[22]環(huán)輪烯[2,1,2,1]在基底溫度下薄膜的生長(zhǎng)模式。在OTS修飾的SiO2/Si基底上，采用不同基底溫度沉材料，采用原子力顯微鏡表征薄膜形....

本文編號(hào)：3977486