隨著有源相控陣技術(shù)在現(xiàn)代雷達(dá)與通信系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用,對(duì)相控陣系統(tǒng)的成本、功耗、體積都提出了越來(lái)越嚴(yán)苛的要求。相控陣系統(tǒng)的性能受制于其中的收發(fā)(T/R)組件芯片,其成本中的很大比重也是在芯片上。III-V族化合物半導(dǎo)體是收發(fā)芯片采用的主流工藝,具有頻率高、功率大、噪聲低等優(yōu)點(diǎn)。但是其成本也高,且難以與基帶芯片、數(shù)控芯片集成。Si工藝和SiGe工藝,雖然整體性能不及III-V族化合物半導(dǎo)體,但在成本和集成度上具有很大優(yōu)勢(shì),并且SiGe工藝在頻率特性上也不輸于傳統(tǒng)GaAs工藝。目前采用Si或SiGe工藝設(shè)計(jì)高集成度的相控陣片上系統(tǒng),也是國(guó)內(nèi)外一個(gè)發(fā)展趨勢(shì),對(duì)其展開(kāi)研究非常有意義。本文基于GF 0.13um SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)了一款Ka波段(33³7GHz)的收發(fā)芯片,研究了其中的關(guān)鍵技術(shù)。具體工作內(nèi)容如下:1.在收發(fā)芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,比較了各種架構(gòu),分配了單元模塊指標(biāo),介紹了SiGe工藝以及探討了各種片上隔離技術(shù)。2.設(shè)計(jì)了一個(gè)小型化的單刀雙擲開(kāi)關(guān),具有3dB以?xún)?nèi)插損以及30dB左右隔離度。設(shè)計(jì)了一個(gè)全溫(-55℃¹25℃)工作的5位數(shù)控...

【文章頁(yè)數(shù)】：77 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外發(fā)展動(dòng)態(tài)
    1.3 本文工作與結(jié)構(gòu)安排
第二章 收發(fā)芯片系統(tǒng)分析設(shè)計(jì)
    2.1 架構(gòu)介紹
    2.2 方案選擇與指標(biāo)分配
    2.3 SiGeBiCMOS工藝介紹
    2.4 片上隔離技術(shù)
    2.5 設(shè)計(jì)方法介紹
    2.6 本章小結(jié)
第三章 開(kāi)關(guān)與幅相控制設(shè)計(jì)
    3.1 單刀雙擲開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)
        3.1.1 微波開(kāi)關(guān)介紹
        3.1.2 單刀雙擲開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)
        3.1.3 仿真結(jié)果
    3.2 全溫?cái)?shù)控衰減器
        3.2.1 衰減器介紹
        3.2.2 全溫?cái)?shù)控衰減器設(shè)計(jì)
        3.2.3 整體設(shè)計(jì)與仿真結(jié)果
    3.3 移相器設(shè)計(jì)
    3.4 本章小結(jié)
第四章 放大器設(shè)計(jì)
    4.1 補(bǔ)償放大器設(shè)計(jì)
        4.1.1 模型與分析
        4.1.2 溫度特性
        4.1.3 仿真結(jié)果
    4.2 低噪聲放大器設(shè)計(jì)
        4.2.1 分析與設(shè)計(jì)
        4.2.2 仿真結(jié)果
    4.3 功率放大器設(shè)計(jì)
    4.4 溫補(bǔ)偏置電路設(shè)計(jì)
    4.5 本章小結(jié)
第五章 系統(tǒng)仿真與單元電路測(cè)試
    5.1 系統(tǒng)仿真結(jié)果
    5.2 衰減器三溫測(cè)試
        5.2.1 測(cè)試環(huán)境
        5.2.2 測(cè)試結(jié)果與分析
    5.3 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果



本文編號(hào)：3873681