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MOSFET并聯(lián)驅(qū)動技術(shù)的研究

發(fā)布時間:2017-05-23 07:09

  本文關(guān)鍵詞:MOSFET并聯(lián)驅(qū)動技術(shù)的研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:隨著電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,電動汽車正走向高速發(fā)展的時代,作為電動汽車的重要組成部分——電機(jī)控制器,控制器的成敗決定了電動車的好與壞?刂破鞯墓β什糠质强刂破鞯年P(guān)鍵。本文最主要是介紹異步電機(jī)低壓控制器,主要是針對功率MOSFET的選型及開關(guān)特性進(jìn)行介紹,通過理論分析,并利用Cadence中Or CAD Capture仿真出功率MOSFET的并聯(lián)均流特性,列舉了需要注意的關(guān)鍵點(diǎn);同時對功率MOSFET柵極驅(qū)動進(jìn)行理論分析,給出詳細(xì)的計算公式,并且根據(jù)實(shí)際測試波形做出仔細(xì)分析;通過計算公式分析了功率部分的散熱并與實(shí)際觀測相對比;論文最重要的通過理論分析功率MOSFET短路的方式及預(yù)防短路的方法并且設(shè)計出5KW異步低壓控制器的功率MOSFET的短路保護(hù),列舉了兩種柵極驅(qū)動的方式,設(shè)計出低壓控制器的硬件部分,并且根據(jù)理論分析與實(shí)際測得數(shù)據(jù)進(jìn)行對比。最后本文從整體上進(jìn)行了課題總結(jié),指出了本課題的不足之處,并對課題的下一階段的計劃做出展望
【關(guān)鍵詞】:功率MOSFET 并聯(lián)驅(qū)動 Or CAD Capture仿真 短路保護(hù) 柵極驅(qū)動
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:U469.72;TN386
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-10
  • 第1章 緒論10-15
  • 1.1 課題的研究背景和意義10-12
  • 1.2 MOSFET與IGBT的區(qū)別12-13
  • 1.3 MOSFET的介紹13-14
  • 1.4 課題研究的主要內(nèi)容14-15
  • 第2章 MOSFET的選取及工作特性分析15-32
  • 2.1 MOSFET的選擇15-17
  • 2.1.1 截止電壓V_(DS)(耐壓)15-16
  • 2.1.2 最大連續(xù)漏電流I_D16
  • 2.1.3 確定散熱需求16-17
  • 2.2 MOSFET的工作特性17-22
  • 2.2.1 MOSFET的靜態(tài)特性17-18
  • 2.2.2 動態(tài)特性18-22
  • 2.3 功率MOSFET的并聯(lián)技術(shù)及仿真22-27
  • 2.3.1 靜態(tài)均流23
  • 2.3.2 動態(tài)均流23-24
  • 2.3.3 MOSFET并聯(lián)均流仿真24-27
  • 2.4 MOSFET柵極驅(qū)動的阻容選擇27-29
  • 2.5 驅(qū)動參數(shù)計算29-30
  • 2.5.1 驅(qū)動器的驅(qū)動功率29-30
  • 2.5.2 驅(qū)動器的峰值電流30
  • 2.6 本章小結(jié)30-32
  • 第3章 驅(qū)動短路保護(hù)電路設(shè)計與分析32-44
  • 3.1 短路的定義32-33
  • 3.2 短路電流的分類33-34
  • 3.3 短路檢測與防護(hù)34-39
  • 3.3.1 減飽和檢測35-38
  • 3.3.2 動態(tài)柵極控制38-39
  • 3.3.3 有源鉗位技術(shù)39
  • 3.4 柵極驅(qū)動方式39-42
  • 3.4.1 隔離電源驅(qū)動技術(shù)39-40
  • 3.4.2 自舉驅(qū)動技術(shù)40
  • 3.4.3 零偏置關(guān)斷電壓柵極驅(qū)動40-41
  • 3.4.4 負(fù)偏置關(guān)斷電壓柵極驅(qū)動41-42
  • 3.5 IGBT與MOSFET的驅(qū)動技術(shù)的區(qū)別42-43
  • 3.6 本章小結(jié)43-44
  • 第4章 系統(tǒng)電路的硬件設(shè)計分析與實(shí)驗(yàn)結(jié)論44-62
  • 4.1 電機(jī)控制器的硬件設(shè)計44-53
  • 4.1.1 器件的選取44-46
  • 4.1.2 驅(qū)動電源的設(shè)計46-49
  • 4.1.3 系統(tǒng)的過流檢測49-51
  • 4.1.4 驅(qū)動布局及PCB設(shè)計51-52
  • 4.1.5 寄生電感與電磁干擾52-53
  • 4.2 散熱分析與安裝53-58
  • 4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析58-62
  • 4.3.1 短路保護(hù)技術(shù)性能測試58-59
  • 4.3.2 測試功率板的發(fā)熱59-62
  • 第5章 總結(jié)與展望62-64
  • 參考文獻(xiàn)64-66
  • 作者簡介66-67
  • 致謝67

【參考文獻(xiàn)】

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4 李正中,孫德剛;高壓浮動MOSFET柵極驅(qū)動技術(shù)[J];通信電源技術(shù);2003年03期

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中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前6條

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5 王超塵;叉車永磁同步電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計[D];南京理工大學(xué);2012年

6 沈紅彬;窄脈沖功率電源研究[D];西安理工大學(xué);2009年


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本文編號:387132

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