本文關(guān)鍵詞：聲光可調(diào)諧濾波器的加工工藝研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：光譜成像技術(shù)兼?zhèn)淇臻g分辨能力和光譜分辨能力,同時(shí)也將圖像分析技術(shù)和光譜分析技術(shù)緊密聯(lián)系起來。近幾年,光譜成像技術(shù)在軍事偵察、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、前沿醫(yī)學(xué)等的應(yīng)用遠(yuǎn)景得到了許多研究學(xué)者的青睞。聲光可調(diào)諧濾波器(Acousto-optic tunable filter,簡(jiǎn)稱AOTF)是一種新型分光元件,目前基于聲光可調(diào)諧濾波技術(shù)的光譜成像研究還處于不斷摸索中,我國(guó)在該方面的研究較晚,也沒有進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用階段,仍要進(jìn)行大量的研究,結(jié)合科技部國(guó)際科技合作項(xiàng)目要求,本文以聲光可調(diào)諧濾波器的加工工藝技術(shù)作為主要研究對(duì)象,開展了相關(guān)研究。首先,結(jié)合項(xiàng)目的器件性能參數(shù)指標(biāo)和要求,確定壓電換能器的切型(X切LiNiO3),并用COMSOL軟件對(duì)其進(jìn)行厚度切變振動(dòng)模式的仿真;研究分析制作AOTF的工藝?yán)碚撟鳛榛A(chǔ),利用UNIPOL-802平面研磨拋光機(jī)對(duì)壓電晶體進(jìn)行研磨拋光研究,反復(fù)實(shí)驗(yàn),找出滿足技術(shù)要求的化學(xué)機(jī)械研磨拋光(CMP)工藝方案;確定壓電層的厚度(16μm)、鍵合膜的結(jié)構(gòu)類型(雙層增透膜)和厚度參數(shù),鑒于鍵合膜層材料的種類和厚度均不相同,并且根據(jù)膜層特性,確定真空鍍膜的方式和工藝條件,實(shí)驗(yàn)得到真空鍍鉻、鍍金、鍍銦的工藝參數(shù)。由于壓電層特別薄而且對(duì)厚度誤差要求較高,真空壓合后形狀比較特殊,不能進(jìn)行直接減薄,針對(duì)此問題,提出并設(shè)計(jì)了一種用于晶體化學(xué)機(jī)械研磨減薄的夾具和方法,經(jīng)該結(jié)構(gòu)和方法進(jìn)行校準(zhǔn)減薄后的壓電晶體厚度16.055μm,厚度誤差0.734μm。經(jīng)過該套工藝參數(shù)得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果滿足項(xiàng)目的需求,為聲光可調(diào)諧濾波技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用起到良好的促進(jìn)作用。
【關(guān)鍵詞】：聲光可調(diào)諧濾波器 光學(xué)工藝 真空鍍膜 研磨拋光
【學(xué)位授予單位】：中北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN713
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-9
• 1 緒論9-15
• 1.1 選題背景及研究目的及意義9-10
• 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀10-14
• 1.2.1 聲光可調(diào)濾波器的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀10-11
• 1.2.2 化學(xué)機(jī)械研磨工藝的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀11-12
• 1.2.3 真空鍍膜工藝的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀12-14
• 1.3 課題來源及研究?jī)?nèi)容14-15
• 2 制作聲光可調(diào)濾波器的理論分析15-29
• 2.1 AOTF的物質(zhì)基礎(chǔ)15-20
• 2.1.1 二氧化碲的慢切變波簡(jiǎn)介16-19
• 2.1.2 鈮酸鋰晶體壓電性能19-20
• 2.2 平行動(dòng)量匹配條件20-21
• 2.3 AOTF工作原理21-22
• 2.4 化學(xué)機(jī)械研磨拋光原理22-24
• 2.4.1 定偏心平面加工原理23
• 2.4.2 CMP加工原理23-24
• 2.5 真空鍍膜原理24-28
• 2.5.1 真空電阻蒸發(fā)鍍膜工作原理24-27
• 2.5.2 磁控濺射鍍膜工作原理27-28
• 2.6 本章小結(jié)28-29
• 3 晶體定向和研磨拋光工藝29-36
• 3.1 壓電晶體定向29-30
• 3.1.1 振動(dòng)模態(tài)選擇29-30
• 3.1.2 切型選擇30
• 3.2 晶體的研磨拋光工藝30-35
• 3.2.1 拋光液的磨料濃度的影響31
• 3.2.2 拋光液的pH值的影響31-33
• 3.2.3 拋光盤轉(zhuǎn)速的影響33
• 3.2.4 壓力的影響33-34
• 3.2.5 工藝參數(shù)及實(shí)驗(yàn)結(jié)果34-35
• 3.3 本章小結(jié)35-36
• 4 真空鍍膜壓合和壓電換能器減薄工藝36-50
• 4.1 壓電換能器膜層參數(shù)計(jì)算36-39
• 4.2 真空鍍鉻工藝39
• 4.3 真空鍍金工藝39-41
• 4.4 真空鍍銦壓合工藝41-42
• 4.5 壓電晶體減薄工藝42-49
• 4.5.1 減薄夾具設(shè)計(jì)和校準(zhǔn)方法的選擇42-47
• 4.5.2 工藝參數(shù)及減薄結(jié)果47-49
• 4.6 本章小結(jié)49-50
• 5 總結(jié)與展望50-51
• 5.1 本文研究工作總結(jié)50
• 5.2 進(jìn)一步的工作和建議50-51
• 參考文獻(xiàn)51-55
• 攻讀碩士期間發(fā)表的論文及專利55-56
• 致謝56-57

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：387429