首先分析了量子效率計(jì)算的相關(guān)理論,然后分析利用紅外中波In As/Ga SbⅡ類超晶格材料進(jìn)行光伏探測(cè)器研制,在對(duì)器件進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試及光譜響應(yīng)測(cè)試基礎(chǔ)上,利用理論分析和測(cè)試數(shù)據(jù)計(jì)算出研制器件的實(shí)際電流響應(yīng)率,再將實(shí)際電流響應(yīng)率與理論分析的電流響應(yīng)率相比,同時(shí)消除芯片表面Si O2鈍化層光學(xué)透過率的影響,計(jì)算出器件對(duì)紅外波段2⁶μm輻射響應(yīng)的量子效率最高可達(dá)35%,達(dá)到了國外同類型器件響應(yīng)的量子效率指標(biāo)。本文的研究為評(píng)價(jià)In As/Ga SbⅡ類超晶格紅外探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換性能提供了一種有效的方法。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 理論分析
2 器件研制分析
3 性能測(cè)試
4 量子效率計(jì)算分析
5 結(jié)論



本文編號(hào)：3837404