GaN基LED因具有亮度高、壽命長、節(jié)能環(huán)保、耐潮、耐震等優(yōu)點被廣泛應用于高品質顯示、照明等領域中,為全球節(jié)能環(huán)保事業(yè)做出了重要貢獻。目前,多基色無熒光粉LED照明技術由于具有低色溫、高顯色指數(shù)以及高效率等優(yōu)點被認為是未來高品質全光譜LED照明的主流。然而,實現(xiàn)多基色全光譜LED照明的關鍵在于提高黃綠光波段LED的發(fā)光效率。此外,GaN基LED在應用過程中反映出的可靠性問題日益凸顯,綠光LED作為多基色無熒光粉LED照明技術方案中的重要組成部分,提高綠光LED的發(fā)光效率以及可靠性對實現(xiàn)高品質多基色全光譜LED照明的發(fā)展以及廣泛應用非常重要。由于作為有源區(qū)的量子阱及其阱前準備層對LED的光電性能有著至關重要的影響,因此本文在本單位前期研究工作的基礎上,通過在量子壘中插入AlGaN插入層,優(yōu)化量子阱周期數(shù),優(yōu)化準備層厚度,并結合電應力加速老化試驗,以研究量子阱結構和阱前準備層結構對Si襯底GaN基綠光LED電應力老化前后光電性能的影響,得到的主要結論如下:1、通過在綠光LED的InGaN/GaN多量子阱中靠近n層附近的四個量子壘及靠近p層的末壘中分別插入一定厚度的AlGaN插入層,探究Al...

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 GaN基LED的發(fā)展
    1.3 GaN基綠光LED面臨的主要問題
        1.3.1 晶體質量退化
        1.3.2 有源區(qū)極化電場
        1.3.3 大電流密度下效率下降
    1.4 GaN基LED的可靠性研究
        1.4.1 LED可靠性研究方法
        1.4.2 GaN基LED的老化機理
    1.5 本論文的研究內(nèi)容和行文安排
第2章 Si襯底GaN基LED的外延生長、芯片制作及相關的性能表征方法
    2.1 Si襯底GaN基LED的外延生長
    2.2 Si襯底GaN基LED芯片制作
    2.3 GaN基LED性能表征方法
        2.3.1 二次離子質譜儀(SIMS)
        2.3.2 高分辨率X射線衍射(HRXRD)
        2.3.3 掃描電子顯微鏡(SEM)
        2.3.4 電致發(fā)光(EL)
        2.3.5 熒光顯微鏡(FL)
第3章 AlGaN插入層對Si襯底GaN基綠光LED發(fā)光效率和可靠性的影響
    3.1 引言
    3.2 實驗
    3.3 結果與討論
    3.4 本章小結
第4章 量子阱個數(shù)對GaN基綠光LED可靠性的影響
    4.1 引言
    4.2 實驗
    4.3 結果與討論
        4.3.1 量子阱個數(shù)對GaN基綠光LED外延薄膜質量的影響
        4.3.2 量子阱個數(shù)對GaN基綠光LED光電性能的影響
        4.3.3 量子阱個數(shù)對GaN基綠光LED電應力老化性能的影響
    4.4 本章小結
第5章 準備層厚度對GaN基綠光LED可靠性的影響
    5.1 引言
    5.2 實驗
    5.3 結果與討論
        5.3.1 準備層厚度對GaN基綠光LED老化前光電性能的影響
        5.3.2 準備層厚度對GaN基綠光LED電應力老化性能的影響
    5.4 本章小結
第6章 總結
致謝
參考文獻
攻讀學位期間的研究成果



本文編號：3822325