針對雙向可控硅(DDSCR)易發(fā)生閂鎖效應的問題,提出了一種多路高維持電壓DDSCR(MHVDDSCR)。在器件的兩邊嵌入NMOS管,構成電流通路,抽取阱內的空穴與電子,促使反偏PN結內電場增強,提高了維持電壓。采用Sentaurus TCAD進行了仿真驗證。結果表明,相比于傳統(tǒng)LT_DDSCR,MHVDDSCR的觸發(fā)電壓降低了0.61 V,維持電壓從2.10 V提高到7.13 V。該器件適用于狹窄ESD設計窗口的模擬IC的雙向靜電防護。

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【文章目錄】：
0 引 言
1 器件的ESD防護原理
    1.1 傳統(tǒng)LT_DDSCR
    1.2 MHVDDSCR設計
2 ESD特性與分析
    2.1 仿真測試結果
    2.2 機理驗證
3 閂鎖免疫優(yōu)化與分析
4 結 論



本文編號：3773704