現(xiàn)代科技的發(fā)展對(duì)功率器件的性能以及衡量性能的標(biāo)準(zhǔn)提出了更高的要求,如雪崩耐量就是近年來(lái)對(duì)功率整流二極管提出的新要求,衡量雪崩耐量的標(biāo)準(zhǔn)也從最初的DVR、△VF到I_PPM再到雪崩功率,雪崩功率更能準(zhǔn)確衡量二極管的雪崩耐量。本文針對(duì)1-25A二極管雪崩耐量的提高進(jìn)行了從理論設(shè)計(jì)到實(shí)際制作的系統(tǒng)研究。首先,從理論上關(guān)于二極管縱向結(jié)構(gòu)和終端結(jié)構(gòu)對(duì)雪崩功率的影響進(jìn)行了分析,確定雪崩整流二極管的結(jié)構(gòu)為p⁺pn^-n⁺非穿通結(jié)構(gòu)�？紤]到實(shí)際工藝情況,并改進(jìn)工藝使其斜角為正斜角且角度盡可能大。其次,在理論分析的基礎(chǔ)上,利用Silvaco TCAD仿真軟件對(duì)1200V的二極管的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行仿真優(yōu)化,確定器件結(jié)構(gòu)參數(shù)為:p⁺區(qū)表面峰值濃度為5?10^{2 0}/cm³,寬度為65μm;p區(qū)表面峰值濃度為5?10¹⁶/cm³,寬度為55μm;基區(qū)摻雜濃度為1.3?10¹⁴/...

【文章頁(yè)數(shù)】：63 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢(shì)
    1.3 國(guó)內(nèi)外研究狀況
    1.4 目前存在的問(wèn)題
    1.5 本文研究的內(nèi)容
第2章 雪崩整流二極管擊穿分析
    2.1 雪崩整流二極管擊穿的理論分析
    2.2 雪崩擊穿電流對(duì)pn結(jié)電場(chǎng)分布的影響
    2.3 不同結(jié)構(gòu)雪崩耐量的分析
        2.3.1 pin結(jié)構(gòu)二極管
        2.3.2 p⁺pn^-n⁺結(jié)構(gòu)二極管
    2.4 終端結(jié)構(gòu)分析
        2.4.1 負(fù)斜角斜面終端結(jié)構(gòu)
        2.4.2 正斜角斜面終端結(jié)構(gòu)
    2.5 小電流容量雪崩二極管主要存在的問(wèn)題以及改進(jìn)
    2.6 本章小結(jié)
第3章 雪崩整流二極管結(jié)構(gòu)參數(shù)的仿真設(shè)計(jì)
    3.1 雪崩整流二極管結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)
        3.1.1 設(shè)計(jì)指標(biāo)
        3.1.2 n-區(qū)設(shè)計(jì)
        3.1.3 p區(qū)設(shè)計(jì)
    3.2 終端結(jié)構(gòu)的仿真設(shè)計(jì)
        3.2.1 負(fù)斜角終端結(jié)構(gòu)仿真
        3.2.2 正斜角終端結(jié)構(gòu)仿真
    3.3 終端結(jié)構(gòu)的選取
    3.4 本章小結(jié)
第4章 雪崩整流二極管的關(guān)鍵工藝
    4.1 制造工藝簡(jiǎn)述
    4.2 擴(kuò)散工藝
        4.2.1 擴(kuò)散理論
        4.2.2 擴(kuò)散工藝仿真
        4.2.3 一次擴(kuò)散實(shí)際工藝
    4.3 電解法去玻璃
    4.4 終端結(jié)構(gòu)工藝
        4.4.1 刻蝕機(jī)理
        4.4.2 工藝過(guò)程
    4.5 本章小結(jié)
第5章 測(cè)試結(jié)果分析
    5.1 阻斷特性測(cè)試結(jié)果分析
    5.2 雪崩功率測(cè)試結(jié)果分析
        5.2.1 不同擴(kuò)散方式對(duì)比實(shí)驗(yàn)
        5.2.2 正負(fù)角結(jié)構(gòu)不同對(duì)比實(shí)驗(yàn)
        5.2.3 不同正斜角度對(duì)比實(shí)驗(yàn)
    5.3 本章小結(jié)
第6章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
在學(xué)研究成果
致謝



本文編號(hào)：3763138