隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,器件性能的提高主要是通過(guò)不斷縮小集成電路的特征尺寸。而當(dāng)特征尺寸縮小到納米尺度,出現(xiàn)了以下問(wèn)題:(1)隨著時(shí)鐘頻率和漏電流功耗的增加,功耗密度也隨之增加,器件功耗的增大嚴(yán)重影響器件速度的提高。和傳統(tǒng)的摩爾定律時(shí)代相比,在More Moore時(shí)代,IC技術(shù)的發(fā)展已從性能驅(qū)動(dòng)走向功耗驅(qū)動(dòng)、性能功耗比驅(qū)動(dòng)。(2)器件的結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜,器件結(jié)構(gòu)和材料性能的聯(lián)系、器件的失效機(jī)制等相關(guān)研究也存在著一定困難。一種方法是引入新的結(jié)構(gòu)、機(jī)理和新的材料,就新材料而言,旨在找到高遷移率溝道材料。此外,納米材料由于納米粒子獨(dú)特的量子效應(yīng),電場(chǎng)加載下會(huì)出現(xiàn)新的物理特性。如何定量描述電場(chǎng)加載下原子尺度各類效應(yīng)的影響程度,是在未來(lái)器件設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵。要獲得原位、動(dòng)態(tài)、電場(chǎng)作用下的一體化材料性能與顯微結(jié)構(gòu)間關(guān)系的信息,需要借助原位透射電子顯微鏡。但是,目前基于原位透射電鏡的電學(xué)測(cè)試難以同時(shí)解決接觸面積小、原位構(gòu)建多電極器件、樣品尺寸限制等問(wèn)題。本文主要針對(duì)目前原位電學(xué)測(cè)試的不足之處,提出了一種基于微納加工技術(shù)的納米尺度多電極電學(xué)測(cè)試芯片的設(shè)計(jì)和制備,通過(guò)和堵片相鍵合來(lái)搭建一種原位納米多電極電學(xué)測(cè)...

【文章頁(yè)數(shù)】：62 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 電子器件發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)
    1.3 原位透射電鏡電學(xué)測(cè)試概述
        1.3.1 原位透射電鏡的電學(xué)測(cè)試原理及現(xiàn)狀
        1.3.2 原位構(gòu)建單電極電學(xué)測(cè)試
        1.3.3 原位構(gòu)建多電極電學(xué)測(cè)試
    1.4 論文的研究?jī)?nèi)容及意義
第二章 原位納米電學(xué)測(cè)試芯片的設(shè)計(jì)和制備
    2.1 引言
    2.2 原位納米電學(xué)測(cè)試芯片的設(shè)計(jì)
    2.3 原位納米電學(xué)測(cè)試芯片的MEMS加工
        2.3.1 工藝流程
        2.3.2 版圖設(shè)計(jì)
        2.3.3 主要工藝討論
    2.4 原位納米電學(xué)測(cè)試芯片的流片
    2.5 本章小結(jié)
第三章 原位納米電學(xué)測(cè)試芯片的FIB加工與表征
    3.1 引言
    3.2 FIB工作原理
    3.3 芯片的FIB加工
    3.4 結(jié)果與討論
    3.5 本章小結(jié)
第四章 堵片的加工及其與芯片的鍵合
    4.1 引言
    4.2 STM-TEM原位電學(xué)測(cè)試
    4.3 堵片的設(shè)計(jì)與加工
        4.3.1 堵片的微納加工
        4.3.2 堵片的3D打印
    4.4 堵片和芯片的鍵合
    4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 工作總結(jié)
    5.2 工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)介



本文編號(hào)：3762831