紅外探測(cè)器自問(wèn)世以來(lái)一直是軍事領(lǐng)域的焦點(diǎn),二十世紀(jì)九十年代非制冷紅外焦平面探測(cè)器的出現(xiàn)更是引起軍事裝備的進(jìn)一步升級(jí),在單兵作戰(zhàn)方面尤為突出。隨著應(yīng)用的普及,以非制冷紅外焦平面探測(cè)器為核心的紅外成像設(shè)備在公共安全、工業(yè)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的作用也越來(lái)越突出,其市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大引起越來(lái)越多的關(guān)注。本文的工作內(nèi)容是制備出性能優(yōu)良的亞穩(wěn)相二氧化釩(VO₂(B))材料,以應(yīng)用于非制冷紅外焦平面探測(cè)器的像元熱敏電阻材料。工業(yè)生產(chǎn)中VO_x的成分較為復(fù)雜不易控制,而成熟工藝下VO₂(B)材料的成分單一,組分確定。VO₂(B)材料的電阻溫度系數(shù)(TCR)較大、方阻值適中,且在工作溫度范圍內(nèi)沒(méi)有類似VO₂(M)/VO₂(R)的相變,1/f噪聲系數(shù)良好,很適合作為像元部分的熱敏材料。本論文的主要工作內(nèi)容如下:(1)在沉積氮化硅的硅片表面使用磁控濺射法原位沉積VO₂(B)薄膜,沉積的薄膜無(wú)需進(jìn)行退火步驟。(2)使用XRD、SEM、Raman光譜儀測(cè)試VO_2<...

【文章頁(yè)數(shù)】：54 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 課題的背景
    1.2 二氧化釩熱敏薄膜
    1.3 熱敏電阻低頻噪聲介紹
    1.4 本課題研究意義與主要研究?jī)?nèi)容
2 VO₂薄膜的制備及表征分析方法
    2.1 VO₂薄膜的制備方法
    2.2 VO₂薄膜的表征分析方法
    2.3 本章小結(jié)
3 VO₂(B)薄膜的制備與性能測(cè)試
    3.1 實(shí)驗(yàn)方案
    3.2 VO₂(B)薄膜樣品制備
    3.3 VO₂(B)薄膜的表征與分析
    3.4 本章小結(jié)
4 VO₂(B)薄膜電阻器件的制備
    4.1 VO₂(B)薄膜電阻的圖形設(shè)計(jì)及光刻
    4.2 EBE蒸鍍金屬電極
    4.3 金屬剝離(lift-off)
    4.4 VO₂(B)薄膜電阻管殼封裝
    4.5 本章小結(jié)
5 VO₂B薄膜電阻低頻噪聲測(cè)試及結(jié)果分析
    5.1 低頻噪聲的理論模型
    5.2 低頻噪聲的測(cè)試方法
    5.3 測(cè)試結(jié)果分析
    5.4 本章小結(jié)
6 總結(jié)與展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄 攻讀學(xué)位期間發(fā)表的論文



本文編號(hào)：3740763