發(fā)布時間：2023-02-12 08:26

　　采用0.25μm SiGe雙極CMOS(BiCMOS)工藝設(shè)計并實現(xiàn)了一種傳輸速率為25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生電容為65 fF的情況下,電路分為主放大器模塊、兩級差分模塊和輸出緩沖模塊。相比傳統(tǒng)的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式實現(xiàn)了一種偽差分的輸入,減小了共模噪聲,提高了電路的穩(wěn)定性;在差分級加入了電容簡并技術(shù),有效地提高了跨阻放大器的帶寬;在各級之間引入了射極跟隨器,減小了前后級之間的影響,改善了電路的頻域特性。電路整體采用了差分結(jié)構(gòu),抑制了電源噪聲和襯底噪聲。仿真結(jié)果表明跨阻放大器的增益為63.6 dBΩ,帶寬可達(dá)20.4 GHz,靈敏度為-18.2 dBm,最大輸出電壓為260 mV,功耗為82 mW。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 工藝選擇
2 電路設(shè)計
    2.1 主放大器模塊的設(shè)計
    2.2 差分模塊的設(shè)計
    2.3 輸出緩沖模塊的設(shè)計
3 版圖設(shè)計及后仿結(jié)果
4 結(jié)語



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