利用Zn擴散方法制備了倍增層厚度為1.5,1.0,0.8μm的In_0.53Ga_0.47As/InP雪崩光電二極管(APDs),研究了該器件特性。隨著倍增層厚度的增加,器件的貫穿電壓和擊穿電壓均呈現(xiàn)增大趨勢�；赟ilvaco模擬計算了APD器件的倍增層厚度對電場強度、電流特性、擊穿電壓與貫穿電壓的影響規(guī)律,結(jié)果表明,隨著倍增層厚度的增加,倍增層內(nèi)電場強度減小,貫穿電壓和擊穿電壓同時增大,與實驗結(jié)果吻合。進一步研究發(fā)現(xiàn),當倍增層的厚度小于0.8μm時,擊穿電壓隨著倍增層厚度的增加會先減小后增大,貫穿電壓則會單調(diào)增大。

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【文章目錄】：
1 引 言
2 APD器件的制備和性能分析
3 器件性能的仿真分析
4 結(jié) 論



本文編號：3740783