弛豫鐵電聚合物增強(qiáng)的二維WSe 2 場效應(yīng)晶體管及多態(tài)可調(diào)整流器
發(fā)布時(shí)間:2023-01-04 19:31
二硒化鎢(WSe2)是少數(shù)在空氣中較為穩(wěn)定且能表現(xiàn)出P型溝道的二維材料,但是由于WSe2的費(fèi)米能級(jí)接近其禁帶中間,導(dǎo)致其難以與金屬形成良好的接觸,從而限制了其場效應(yīng)遷移率,同時(shí)也要求其需要較大的工作電壓才能實(shí)現(xiàn)大的開關(guān)比。本課題提出了 一種使用弛豫鐵電聚合物偏氟乙烯/三氟乙烯/三氟氯乙烯三元共聚物(P(VDF-TrFE-CFE))對(duì)二維WSe2進(jìn)行P型摻雜的方法,使WSe2溝道的空穴場效應(yīng)遷移率從27 cm2V-1s-1提升至170 cm2V-1S-1。同時(shí)與其他摻雜方法不同的是,P(VDF-TrFE-CFE)本身在室溫下具有高介電常數(shù)(55以上),是良好的介電材料。通過在器件溝道表面制備P(VDF-TrFE-CFE)頂柵結(jié)構(gòu),并在P(VDF-TrFE-CFE)的頂柵調(diào)控下,器件表現(xiàn)出比Si02底柵調(diào)控下優(yōu)異得多的P型電學(xué)性能,并且大大降低了工作電壓。后續(xù)的變溫實(shí)驗(yàn)我們研究了 P(VDF-TrFE-CFE)相轉(zhuǎn)變過程對(duì)溝道載流子濃度及遷移率的影響。隨著溫度的降低,WSe2的空穴遷移率明顯上升,并在200K時(shí)超過了 900C1cm2V-1S-1 P(VDF-TrFE-CFE)的P型摻雜和...
【文章頁數(shù)】:77 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 二維半導(dǎo)體簡介
1.1.1 引言
1.1.2 二維過渡金屬硫族化合物(TMDs)
1.1.3 二硒化鎢(WSe2)
1.2 鐵電材料簡介
1.2.1 鐵電材料
1.2.2 鐵電聚合物P(VDF-TrFE)及薄膜
1.2.3 弛豫鐵電聚合物P(VDF-TrFE-CFE)薄膜
1.3 二維半導(dǎo)體器件研究進(jìn)展
1.3.1 二維材料晶體管
1.3.2 整流器件
1.3.3 光電探測器
1.3.4 WSe_2的摻雜
1.3.5 鐵電聚合物與二維材料
1.4 二維半導(dǎo)體器件理論基礎(chǔ)
1.4.1 場效應(yīng)晶體管
1.4.2 能帶結(jié)構(gòu)與肖特基勢壘
1.4.3 載流子遷移率
1.4.4 光電效應(yīng)
1.5 本課題研究的內(nèi)容及意義
第二章 實(shí)驗(yàn)材料與器件制備
2.1 實(shí)驗(yàn)所需儀器
2.2 二維材料轉(zhuǎn)移與器件制備
2.2.1 襯底的制備
2.2.2 二維材料的制備與轉(zhuǎn)移
2.2.3 P(VDF-TrFE-CFE)薄膜的制備
2.2.4 器件的制備
2.3 器件的表征
2.3.1 光學(xué)顯微鏡表征
2.3.2 原子力顯微鏡(AFM)表征
2.3.3 拉曼光譜表征
2.4 本章小結(jié)
第三章 P(VDF-TrFE-CFE)增強(qiáng)的P型WSe_2場效應(yīng)晶體管
3.1 引言
3.2 P(VDF-TrFE-CFE)對(duì)WSe_2的P型摻雜
3.2.1 器件結(jié)構(gòu)與表征
3.2.2 輸出特性與轉(zhuǎn)移特性
3.2.3 能帶結(jié)構(gòu)
3.3 P(VDF-TrFE-CFE)對(duì)WSe_2溝道的調(diào)控
3.3.1 器件結(jié)構(gòu)
3.3.2 P(VDF-TrFE-CFE)頂柵調(diào)控特性
3.3.3 P(VDF-TrFE-CFE)轉(zhuǎn)變過程對(duì)溝道的影響
3.4 本章小結(jié)
第四章 P(VDF-TrFE-CFE)增強(qiáng)的多態(tài)整流器
4.1 引言
4.2 多態(tài)整流器件
4.2.1 新型器件結(jié)構(gòu)
4.2.2 P(VDF-TrFE-CFE)對(duì)WSe_2極性的調(diào)控
4.2.3 多態(tài)可調(diào)整流特性
4.2.4 光電調(diào)控下的整流特性
4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
個(gè)人簡歷
攻讀碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的其他科研成果
本文編號(hào):3727804
【文章頁數(shù)】:77 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 二維半導(dǎo)體簡介
1.1.1 引言
1.1.2 二維過渡金屬硫族化合物(TMDs)
1.1.3 二硒化鎢(WSe2)
1.2 鐵電材料簡介
1.2.1 鐵電材料
1.2.2 鐵電聚合物P(VDF-TrFE)及薄膜
1.2.3 弛豫鐵電聚合物P(VDF-TrFE-CFE)薄膜
1.3 二維半導(dǎo)體器件研究進(jìn)展
1.3.1 二維材料晶體管
1.3.2 整流器件
1.3.3 光電探測器
1.3.4 WSe_2的摻雜
1.3.5 鐵電聚合物與二維材料
1.4 二維半導(dǎo)體器件理論基礎(chǔ)
1.4.1 場效應(yīng)晶體管
1.4.2 能帶結(jié)構(gòu)與肖特基勢壘
1.4.3 載流子遷移率
1.4.4 光電效應(yīng)
1.5 本課題研究的內(nèi)容及意義
第二章 實(shí)驗(yàn)材料與器件制備
2.1 實(shí)驗(yàn)所需儀器
2.2 二維材料轉(zhuǎn)移與器件制備
2.2.1 襯底的制備
2.2.2 二維材料的制備與轉(zhuǎn)移
2.2.3 P(VDF-TrFE-CFE)薄膜的制備
2.2.4 器件的制備
2.3 器件的表征
2.3.1 光學(xué)顯微鏡表征
2.3.2 原子力顯微鏡(AFM)表征
2.3.3 拉曼光譜表征
2.4 本章小結(jié)
第三章 P(VDF-TrFE-CFE)增強(qiáng)的P型WSe_2場效應(yīng)晶體管
3.1 引言
3.2 P(VDF-TrFE-CFE)對(duì)WSe_2的P型摻雜
3.2.1 器件結(jié)構(gòu)與表征
3.2.2 輸出特性與轉(zhuǎn)移特性
3.2.3 能帶結(jié)構(gòu)
3.3 P(VDF-TrFE-CFE)對(duì)WSe_2溝道的調(diào)控
3.3.1 器件結(jié)構(gòu)
3.3.2 P(VDF-TrFE-CFE)頂柵調(diào)控特性
3.3.3 P(VDF-TrFE-CFE)轉(zhuǎn)變過程對(duì)溝道的影響
3.4 本章小結(jié)
第四章 P(VDF-TrFE-CFE)增強(qiáng)的多態(tài)整流器
4.1 引言
4.2 多態(tài)整流器件
4.2.1 新型器件結(jié)構(gòu)
4.2.2 P(VDF-TrFE-CFE)對(duì)WSe_2極性的調(diào)控
4.2.3 多態(tài)可調(diào)整流特性
4.2.4 光電調(diào)控下的整流特性
4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
個(gè)人簡歷
攻讀碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的其他科研成果
本文編號(hào):3727804
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