自還原法合成白光LED用Eu 2+ -Eu 3+ 激勵硅酸鹽熒光粉及其發(fā)光性能研究
發(fā)布時間:2022-04-23 12:29
本文通過高溫自還原法在空氣氣氛下合成了Eu2+-Eu3+激勵的硅酸鹽熒光材料。通過對熒光樣品的X射線衍射(XRD)、熒光光譜、拉曼光譜、電子順磁共振(ESR)、X射線光電子能譜(XPS)、熒光壽命、及色坐標(biāo)(CIE)的系統(tǒng)分析,發(fā)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)調(diào)制及電荷補償摻雜導(dǎo)致基質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,分析了晶體結(jié)構(gòu)的變化對自還原過程所產(chǎn)生的影響,研究了網(wǎng)絡(luò)改變體(ZrO2/SnO2/SnCl2·2H2O)及低價堿金屬離子(Li+/Na+/K+)的摻入及摻入量與Eu2+和Eu3+發(fā)射強(qiáng)度之間的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)可通過調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)改變體或低價堿金屬離子的種類及含量來操控?zé)晒怏w的發(fā)光顏色,實現(xiàn)白光發(fā)射。(1)采用高溫自還原法制備了BaZrxSi3O7+2x:2%Eu2+-Eu3+
【文章頁數(shù)】:72 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 引言
1.1 白光LED概述及應(yīng)用
1.2 基于紫外或近紫外芯片激勵單一基質(zhì)全光譜發(fā)射熒光粉的研究進(jìn)展
1.2.1 基于紫外或近紫外芯片激勵熒光粉的研究進(jìn)展
1.2.2 基于紫外或近紫外芯片激勵單一基質(zhì)熒光粉合成白光的研究進(jìn)展
1.3 自還原法合成Eu~(2+)摻雜硅酸鹽熒光粉的還原機(jī)理及其研究進(jìn)展
1.3.1 Eu~(2+)的獲取方法及自還原機(jī)理
1.3.2 Eu~(2+)的摻雜硅酸鹽熒光粉的研究進(jìn)展
1.4 本課題的選題依據(jù)及研究內(nèi)容
1.4.1 本課題的選題依據(jù)
1.4.2 本課題的研究內(nèi)容
第2章 實驗方法
2.1 實驗的原料及儀器設(shè)備
2.2 實驗流程及步驟
2.3 樣品的性能測試與表征
第3章 自還原法合成白光LED用Eu摻雜BaZr_xSi_3O_(7+2x)熒光粉及其發(fā)光性能研究
3.1 BaZr_xSi_3O_(7+2x):2%Eu體系熒光粉的制備
3.2 物相結(jié)構(gòu)分析
3.2.1 MSi_3O_7:2%Eu(M=Mg,Ca,Sr,Ba)體系熒光粉的物相結(jié)構(gòu)分析
3.2.2 BaZr_xSi_3O_(7+2x):2%Eu體系熒光粉的物相結(jié)構(gòu)分析
3.3 BaZr_xSi_3O_(7+2x):2%Eu(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)體系熒光粉的熒光性能分析
3.4 本章主要結(jié)論
第4章 自還原法合成白光LED用Eu摻雜BaSn_xSi_3O_(7+2x)熒光粉及其發(fā)光性能研究
4.1 BaSn_xSi_3O_(7+2x):2%Eu(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)體系熒光粉的制備
4.2 BaSn_xSi_3O_(7+2x):2%Eu(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)體系熒光粉的物相結(jié)構(gòu)分析
4.3 BaSn_xSi_3O_(7+2x):2%Eu(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)體系熒光粉的熒光性能分析
4.4 本章主要結(jié)論
第5章 自還原法合成白光LED用Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xR~+(R=Li/Na/K)的熒光粉及其發(fā)光性能研究
5.1 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xR~+(R=Li/Na/K)體系熒光粉的制備
5.2 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xR~+(R=Li/Na/K)體系熒光粉物相結(jié)構(gòu)分析
5.3 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xR~+(R=Li/Na/K)體系熒光粉的熒光性能分析
5.3.1 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xLi~+(x=0,0.02,0.04,0.08)熒光粉的熒光性能分析
5.3.2 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xNa~+(x=0,0.02,0.04,0.08)熒光粉的熒光性能分析
5.3.3 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xK~+(x=0,0.02,0.04,0.08)熒光粉的熒光性能分析
5.4 本章主要結(jié)論
第6章 結(jié)論與展望
6.1 結(jié)論
6.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)
碩士期間研究成果
本文編號:3647177
【文章頁數(shù)】:72 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 引言
1.1 白光LED概述及應(yīng)用
1.2 基于紫外或近紫外芯片激勵單一基質(zhì)全光譜發(fā)射熒光粉的研究進(jìn)展
1.2.1 基于紫外或近紫外芯片激勵熒光粉的研究進(jìn)展
1.2.2 基于紫外或近紫外芯片激勵單一基質(zhì)熒光粉合成白光的研究進(jìn)展
1.3 自還原法合成Eu~(2+)摻雜硅酸鹽熒光粉的還原機(jī)理及其研究進(jìn)展
1.3.1 Eu~(2+)的獲取方法及自還原機(jī)理
1.3.2 Eu~(2+)的摻雜硅酸鹽熒光粉的研究進(jìn)展
1.4 本課題的選題依據(jù)及研究內(nèi)容
1.4.1 本課題的選題依據(jù)
1.4.2 本課題的研究內(nèi)容
第2章 實驗方法
2.1 實驗的原料及儀器設(shè)備
2.2 實驗流程及步驟
2.3 樣品的性能測試與表征
第3章 自還原法合成白光LED用Eu摻雜BaZr_xSi_3O_(7+2x)熒光粉及其發(fā)光性能研究
3.1 BaZr_xSi_3O_(7+2x):2%Eu體系熒光粉的制備
3.2 物相結(jié)構(gòu)分析
3.2.1 MSi_3O_7:2%Eu(M=Mg,Ca,Sr,Ba)體系熒光粉的物相結(jié)構(gòu)分析
3.2.2 BaZr_xSi_3O_(7+2x):2%Eu體系熒光粉的物相結(jié)構(gòu)分析
3.3 BaZr_xSi_3O_(7+2x):2%Eu(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)體系熒光粉的熒光性能分析
3.4 本章主要結(jié)論
第4章 自還原法合成白光LED用Eu摻雜BaSn_xSi_3O_(7+2x)熒光粉及其發(fā)光性能研究
4.1 BaSn_xSi_3O_(7+2x):2%Eu(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)體系熒光粉的制備
4.2 BaSn_xSi_3O_(7+2x):2%Eu(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)體系熒光粉的物相結(jié)構(gòu)分析
4.3 BaSn_xSi_3O_(7+2x):2%Eu(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)體系熒光粉的熒光性能分析
4.4 本章主要結(jié)論
第5章 自還原法合成白光LED用Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xR~+(R=Li/Na/K)的熒光粉及其發(fā)光性能研究
5.1 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xR~+(R=Li/Na/K)體系熒光粉的制備
5.2 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xR~+(R=Li/Na/K)體系熒光粉物相結(jié)構(gòu)分析
5.3 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xR~+(R=Li/Na/K)體系熒光粉的熒光性能分析
5.3.1 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xLi~+(x=0,0.02,0.04,0.08)熒光粉的熒光性能分析
5.3.2 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xNa~+(x=0,0.02,0.04,0.08)熒光粉的熒光性能分析
5.3.3 Eu摻雜BaZrSi_3O_9:xK~+(x=0,0.02,0.04,0.08)熒光粉的熒光性能分析
5.4 本章主要結(jié)論
第6章 結(jié)論與展望
6.1 結(jié)論
6.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)
碩士期間研究成果
本文編號:3647177
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