硅基片上螺旋電感的仿真及其在實(shí)時(shí)延時(shí)線中的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2022-01-17 20:34
隨著移動(dòng)通信市場(chǎng)的日益增長以及集成電路技術(shù)的快速發(fā)展,基于CMOS工藝的射頻集成電路得到廣泛的應(yīng)用。使用CMOS工藝設(shè)計(jì)實(shí)時(shí)延時(shí)線,具有低功耗、低成本以及高集成度的優(yōu)點(diǎn),實(shí)時(shí)延時(shí)線的設(shè)計(jì)對(duì)于相控陣天線至關(guān)重要。射頻集成電路中很多重要的子單元都會(huì)用到平面螺旋電感。電感的性能直接影響單元電路甚至整個(gè)系統(tǒng)的性能,因此,提高片上螺旋電感的品質(zhì)因數(shù)和建立高頻下片上螺旋電感精確的物理模型十分重要。本文介紹了片上螺旋電感的基本特性,并詳細(xì)分析了平面螺旋電感的損耗機(jī)制和高頻效應(yīng)。然后,模擬分析了電感參數(shù)對(duì)其性能的影響,從HFSS電磁場(chǎng)仿真的結(jié)果中總結(jié)了硅基螺旋電感的優(yōu)化規(guī)則。基于65nm CMOS工藝,采用平面螺旋電感設(shè)計(jì)了一個(gè)工作在8GHz-36GHz的實(shí)時(shí)延時(shí)線。其中粗調(diào)節(jié)延時(shí)模塊有3級(jí),相鄰延時(shí)單元之間的延時(shí)差為5ps,通過數(shù)字電路控制模擬開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)實(shí)現(xiàn)信號(hào)路徑的選擇。細(xì)調(diào)節(jié)模塊實(shí)現(xiàn)最大5ps范圍內(nèi)的連續(xù)可調(diào)延時(shí),以保證完全覆蓋粗調(diào)節(jié)相鄰延時(shí)單元的延時(shí)差,其延時(shí)控制通過改變可變電容的控制電壓去完成。同時(shí),利用Cadence中Virtuoso layout-editor完成了整個(gè)電路版圖的設(shè)計(jì)...
【文章來源】:東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
仿真結(jié)構(gòu)
圖 3- 2 電感線圈外徑對(duì) L 值的影響圖 3- 3 電感線圈外徑對(duì) Q 值的影響 3-2 說明電感的 L 值隨著外徑的增大而升高。因?yàn)橥鈴皆酱,螺旋電感的總長度越大,總的 L 值就會(huì)增加。由圖 3-3 可見,各電感的品質(zhì)因數(shù) Q 都表現(xiàn)出先增加電感取得 Qmax 的頻率點(diǎn)均不相同,且外徑越大,取得 Qmax的頻率值越小。
圖 3- 3 電感線圈外徑對(duì) Q 值的影響 3-2 說明電感的 L 值隨著外徑的增大而升高。因?yàn)橥鈴皆酱螅菪姼械目傞L越大,總的 L 值就會(huì)增加。由圖 3-3 可見,各電感的品質(zhì)因數(shù) Q 都表現(xiàn)出先增電感取得 Qmax 的頻率點(diǎn)均不相同,且外徑越大,取得 Qmax的頻率值越小。 金屬線寬度對(duì)電感性能的影響-2 給出了一組金屬線寬度不相同,其它結(jié)構(gòu)參數(shù)相同的八邊形片上螺旋電感。圖變化對(duì)片上螺旋電感的電感量的影響。圖 3-5 表示金屬線寬度對(duì) Q 值的影響。表 3-2 金屬線寬度不同的螺旋電感的結(jié)構(gòu)參數(shù)樣品編號(hào) din(um) dout(um) n w(um) s(um)D4 150 180 4 6 2D5 130 180 4 9 2D6 110 180 4 12 2
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]用于射頻集成的高Q硅基電感的優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 王惠娟,潘杰,任曉黎,曹立強(qiáng),于大全,萬里兮. 現(xiàn)代電子技術(shù). 2015(18)
[2]CMOS集成電感的建模與仿真[J]. 裴曉敏,林艷麗. 科學(xué)技術(shù)與工程. 2013(18)
[3]基于遺傳算法的片上螺旋電感模型優(yōu)化方法[J]. 馮暉,鐘曉征,楊華中. 微電子學(xué). 2006(01)
博士論文
[1]寬帶相控陣?yán)走_(dá)波束控制技術(shù)研究[D]. 嚴(yán)濟(jì)鴻.電子科技大學(xué) 2011
碩士論文
[1]硅基片上螺旋電感的模型參數(shù)提取及應(yīng)用[D]. 石新明.大連理工大學(xué) 2009
[2]硅基片上螺旋電感建模及其在射頻芯片中的應(yīng)用[D]. 任軍.電子科技大學(xué) 2007
本文編號(hào):3595396
【文章來源】:東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
仿真結(jié)構(gòu)
圖 3- 2 電感線圈外徑對(duì) L 值的影響圖 3- 3 電感線圈外徑對(duì) Q 值的影響 3-2 說明電感的 L 值隨著外徑的增大而升高。因?yàn)橥鈴皆酱,螺旋電感的總長度越大,總的 L 值就會(huì)增加。由圖 3-3 可見,各電感的品質(zhì)因數(shù) Q 都表現(xiàn)出先增加電感取得 Qmax 的頻率點(diǎn)均不相同,且外徑越大,取得 Qmax的頻率值越小。
圖 3- 3 電感線圈外徑對(duì) Q 值的影響 3-2 說明電感的 L 值隨著外徑的增大而升高。因?yàn)橥鈴皆酱螅菪姼械目傞L越大,總的 L 值就會(huì)增加。由圖 3-3 可見,各電感的品質(zhì)因數(shù) Q 都表現(xiàn)出先增電感取得 Qmax 的頻率點(diǎn)均不相同,且外徑越大,取得 Qmax的頻率值越小。 金屬線寬度對(duì)電感性能的影響-2 給出了一組金屬線寬度不相同,其它結(jié)構(gòu)參數(shù)相同的八邊形片上螺旋電感。圖變化對(duì)片上螺旋電感的電感量的影響。圖 3-5 表示金屬線寬度對(duì) Q 值的影響。表 3-2 金屬線寬度不同的螺旋電感的結(jié)構(gòu)參數(shù)樣品編號(hào) din(um) dout(um) n w(um) s(um)D4 150 180 4 6 2D5 130 180 4 9 2D6 110 180 4 12 2
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]用于射頻集成的高Q硅基電感的優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 王惠娟,潘杰,任曉黎,曹立強(qiáng),于大全,萬里兮. 現(xiàn)代電子技術(shù). 2015(18)
[2]CMOS集成電感的建模與仿真[J]. 裴曉敏,林艷麗. 科學(xué)技術(shù)與工程. 2013(18)
[3]基于遺傳算法的片上螺旋電感模型優(yōu)化方法[J]. 馮暉,鐘曉征,楊華中. 微電子學(xué). 2006(01)
博士論文
[1]寬帶相控陣?yán)走_(dá)波束控制技術(shù)研究[D]. 嚴(yán)濟(jì)鴻.電子科技大學(xué) 2011
碩士論文
[1]硅基片上螺旋電感的模型參數(shù)提取及應(yīng)用[D]. 石新明.大連理工大學(xué) 2009
[2]硅基片上螺旋電感建模及其在射頻芯片中的應(yīng)用[D]. 任軍.電子科技大學(xué) 2007
本文編號(hào):3595396
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