結(jié)型有機(jī)光電探測(cè)器的研究進(jìn)展
發(fā)布時(shí)間:2022-01-17 19:28
基于光生伏特原理的結(jié)型有機(jī)光電探測(cè)器(OPDs)被廣泛研究。首先介紹了結(jié)型OPDs的三種主要結(jié)構(gòu)及其原理,包含了平面異質(zhì)結(jié)、體異質(zhì)結(jié)和平面-體復(fù)合異質(zhì)結(jié),并介紹了結(jié)型OPDs的基本性能參數(shù);跇(gòu)成異質(zhì)結(jié)的半導(dǎo)體材料進(jìn)行分類,分別綜述了基于雙有機(jī)小分子、聚合物-有機(jī)小分子、雙聚合物等類型的異質(zhì)結(jié)型OPDs在近年來的研究進(jìn)展。此外,介紹了在對(duì)具有平直結(jié)構(gòu)的結(jié)型OPDs的性能改善方面所采取的一些典型方法,并對(duì)結(jié)型OPDs的未來發(fā)展方向進(jìn)行了展望。
【文章來源】:激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2020,57(13)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:25 頁
【部分圖文】:
三種典型異質(zhì)結(jié)OPDs器件的結(jié)構(gòu)示意圖與反向偏壓下電極注入電荷的能帶示意圖。(a)PHJ;(b)BHJ;(c)P-BMHJ;(d)含有空穴傳輸層的體異質(zhì)結(jié)器件在反偏電壓下的能帶示意圖,該空穴傳輸層可阻擋電子從器件的陽極注入
2006年,Morimune等[24]制備了ITO/CuPc/BPPC/Au垂直結(jié)構(gòu)器件,該器件在-3 V偏壓、650nm光照下的響應(yīng)時(shí)間為83ns,如圖3(d)所示。后來該團(tuán)隊(duì)又利用這兩種材料制備了P-BMHJ OPD[25],將響應(yīng)時(shí)間縮短至60ns。鑒于近紅外OPDs在工商業(yè)、軍事和科研領(lǐng)域,特別是在夜視、層析成像等方面的巨大應(yīng)用潛力,Wang等[26]于2011年利用高電子遷移率的F16CuPc作為電子受體制備P-BMHJ OPD,器件在808nm近紅外光下的響應(yīng)時(shí)間僅為80ns,EQE在-9V偏壓下達(dá)到9.22%,探測(cè)率為4.6×1010 Jones(1 Jones=1cm·Hz1/2·W-1)。綜合可見,以CuPc為給體材料的雙小分子異質(zhì)結(jié)OPDs具有優(yōu)于百納秒級(jí)別的超快響應(yīng)速度,探測(cè)器響應(yīng)波段一般在可見光到近紅外波段內(nèi)。4.1.2 m-MTDATA給體
結(jié)型OPDs通常在反偏電壓下工作,雖然可以利用外加電場來加速電荷收集以獲得快速的響應(yīng)和更高的效率,但這樣會(huì)從電極處注入漏電流,增大器件的暗電流,從而對(duì)器件性能產(chǎn)生不利影響[16]。漏電流在很大程度上取決于金屬-半導(dǎo)體的界面能級(jí),為了防止反偏電壓下金屬電極注入電荷,必須盡可能地提高金屬功函數(shù)和有機(jī)半導(dǎo)體中載流子傳輸能級(jí)之間的勢(shì)壘。BHJs中給體和受體分子分布在器件的整個(gè)活性層內(nèi),二者都非常接近電極,因此電極電荷注入的有效勢(shì)壘很小,漏電流高,如圖2(b)所示。因此人們常用電子阻擋層(EBL)和空穴阻擋層(HBL)來阻止反偏電壓下電荷的注入,也可以阻止產(chǎn)生的激子擴(kuò)散到電極上,從而有效地提高器件的性能。阻擋層的HOMO和LUMO能級(jí)會(huì)在電極界面形成特定類型載流子注入勢(shì)壘,但不妨礙電極提取相反類型的光生載流子[17],如圖2(d)所示。在平面異質(zhì)結(jié)中的情況恰恰相反,每個(gè)金屬電極只與一種有機(jī)材料接觸,漏電流低,如圖2(a)所示。然而PHJs中激子的擴(kuò)散長度短,限制了激子的高效解離。為了保持高效率,同時(shí)使漏電流保持在較低的水平,可通過在器件內(nèi)保持一個(gè)體異質(zhì)結(jié)分布而在靠近陽極(陰極)的地方誘導(dǎo)給體(受體)富集,形成P-BMHJs來實(shí)現(xiàn),如圖2(c)所示。研究表明誘導(dǎo)D和A部分的垂直相分離[18]或沉積一個(gè)三層結(jié)構(gòu)[19],器件泄漏電流均可有效降低(Ileak<1nA/cm2),并且保持較高的效率。圖2 三種典型異質(zhì)結(jié)OPDs器件的結(jié)構(gòu)示意圖與反向偏壓下電極注入電荷的能帶示意圖。(a)PHJ;(b)BHJ;(c)P-BMHJ;(d)含有空穴傳輸層的體異質(zhì)結(jié)器件在反偏電壓下的能帶示意圖,該空穴傳輸層可阻擋電子從器件的陽極注入
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]無機(jī)紫外光電探測(cè)器材料研究進(jìn)展[J]. 尚慧明,戴明金,高峰,楊慧慧,陳洪宇,胡平安,賈德昌,周玉. 中國材料進(jìn)展. 2019(09)
[2]具有變革性特征的紅外光電探測(cè)器[J]. 胡偉達(dá),李慶,陳效雙,陸衛(wèi). 物理學(xué)報(bào). 2019(12)
[3]InP基近紅外單光子雪崩光電探測(cè)器陣列[J]. 劉凱寶,楊曉紅,何婷婷,王暉. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2019(22)
[4]新型傳感材料與器件研究進(jìn)展[J]. 屠海令,趙鴻濱,魏峰,張青竹,樊彥艷,杜軍. 稀有金屬. 2019(01)
[5]二維層狀鈣鈦礦材料及其應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 韓娜,冀婷,崔艷霞,李國輝,張恒康,郝玉英. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2019(07)
[6]鈣鈦礦光電探測(cè)器的研究進(jìn)展[J]. 劉艷珍,李國輝,崔艷霞,冀婷,郝玉英. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2019(01)
[7]有機(jī)光電倍增探測(cè)器研究進(jìn)展[J]. 高秀云,張葉,崔艷霞,劉艷珍,李國輝,石林林,郝玉英. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2018(07)
[8]有機(jī)半導(dǎo)體器件的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)[J]. 陳海明,靳寶善. 微納電子技術(shù). 2010(08)
[9]有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域的若干科學(xué)問題[J]. 王立鐸. 大學(xué)化學(xué). 2007(01)
[10]酞菁銅的性能和應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 何智兵,黃勇剛,張溪文,趙高凌,杜丕一,韓高榮. 材料導(dǎo)報(bào). 2000(10)
本文編號(hào):3595305
【文章來源】:激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2020,57(13)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:25 頁
【部分圖文】:
三種典型異質(zhì)結(jié)OPDs器件的結(jié)構(gòu)示意圖與反向偏壓下電極注入電荷的能帶示意圖。(a)PHJ;(b)BHJ;(c)P-BMHJ;(d)含有空穴傳輸層的體異質(zhì)結(jié)器件在反偏電壓下的能帶示意圖,該空穴傳輸層可阻擋電子從器件的陽極注入
2006年,Morimune等[24]制備了ITO/CuPc/BPPC/Au垂直結(jié)構(gòu)器件,該器件在-3 V偏壓、650nm光照下的響應(yīng)時(shí)間為83ns,如圖3(d)所示。后來該團(tuán)隊(duì)又利用這兩種材料制備了P-BMHJ OPD[25],將響應(yīng)時(shí)間縮短至60ns。鑒于近紅外OPDs在工商業(yè)、軍事和科研領(lǐng)域,特別是在夜視、層析成像等方面的巨大應(yīng)用潛力,Wang等[26]于2011年利用高電子遷移率的F16CuPc作為電子受體制備P-BMHJ OPD,器件在808nm近紅外光下的響應(yīng)時(shí)間僅為80ns,EQE在-9V偏壓下達(dá)到9.22%,探測(cè)率為4.6×1010 Jones(1 Jones=1cm·Hz1/2·W-1)。綜合可見,以CuPc為給體材料的雙小分子異質(zhì)結(jié)OPDs具有優(yōu)于百納秒級(jí)別的超快響應(yīng)速度,探測(cè)器響應(yīng)波段一般在可見光到近紅外波段內(nèi)。4.1.2 m-MTDATA給體
結(jié)型OPDs通常在反偏電壓下工作,雖然可以利用外加電場來加速電荷收集以獲得快速的響應(yīng)和更高的效率,但這樣會(huì)從電極處注入漏電流,增大器件的暗電流,從而對(duì)器件性能產(chǎn)生不利影響[16]。漏電流在很大程度上取決于金屬-半導(dǎo)體的界面能級(jí),為了防止反偏電壓下金屬電極注入電荷,必須盡可能地提高金屬功函數(shù)和有機(jī)半導(dǎo)體中載流子傳輸能級(jí)之間的勢(shì)壘。BHJs中給體和受體分子分布在器件的整個(gè)活性層內(nèi),二者都非常接近電極,因此電極電荷注入的有效勢(shì)壘很小,漏電流高,如圖2(b)所示。因此人們常用電子阻擋層(EBL)和空穴阻擋層(HBL)來阻止反偏電壓下電荷的注入,也可以阻止產(chǎn)生的激子擴(kuò)散到電極上,從而有效地提高器件的性能。阻擋層的HOMO和LUMO能級(jí)會(huì)在電極界面形成特定類型載流子注入勢(shì)壘,但不妨礙電極提取相反類型的光生載流子[17],如圖2(d)所示。在平面異質(zhì)結(jié)中的情況恰恰相反,每個(gè)金屬電極只與一種有機(jī)材料接觸,漏電流低,如圖2(a)所示。然而PHJs中激子的擴(kuò)散長度短,限制了激子的高效解離。為了保持高效率,同時(shí)使漏電流保持在較低的水平,可通過在器件內(nèi)保持一個(gè)體異質(zhì)結(jié)分布而在靠近陽極(陰極)的地方誘導(dǎo)給體(受體)富集,形成P-BMHJs來實(shí)現(xiàn),如圖2(c)所示。研究表明誘導(dǎo)D和A部分的垂直相分離[18]或沉積一個(gè)三層結(jié)構(gòu)[19],器件泄漏電流均可有效降低(Ileak<1nA/cm2),并且保持較高的效率。圖2 三種典型異質(zhì)結(jié)OPDs器件的結(jié)構(gòu)示意圖與反向偏壓下電極注入電荷的能帶示意圖。(a)PHJ;(b)BHJ;(c)P-BMHJ;(d)含有空穴傳輸層的體異質(zhì)結(jié)器件在反偏電壓下的能帶示意圖,該空穴傳輸層可阻擋電子從器件的陽極注入
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]無機(jī)紫外光電探測(cè)器材料研究進(jìn)展[J]. 尚慧明,戴明金,高峰,楊慧慧,陳洪宇,胡平安,賈德昌,周玉. 中國材料進(jìn)展. 2019(09)
[2]具有變革性特征的紅外光電探測(cè)器[J]. 胡偉達(dá),李慶,陳效雙,陸衛(wèi). 物理學(xué)報(bào). 2019(12)
[3]InP基近紅外單光子雪崩光電探測(cè)器陣列[J]. 劉凱寶,楊曉紅,何婷婷,王暉. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2019(22)
[4]新型傳感材料與器件研究進(jìn)展[J]. 屠海令,趙鴻濱,魏峰,張青竹,樊彥艷,杜軍. 稀有金屬. 2019(01)
[5]二維層狀鈣鈦礦材料及其應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 韓娜,冀婷,崔艷霞,李國輝,張恒康,郝玉英. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2019(07)
[6]鈣鈦礦光電探測(cè)器的研究進(jìn)展[J]. 劉艷珍,李國輝,崔艷霞,冀婷,郝玉英. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2019(01)
[7]有機(jī)光電倍增探測(cè)器研究進(jìn)展[J]. 高秀云,張葉,崔艷霞,劉艷珍,李國輝,石林林,郝玉英. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2018(07)
[8]有機(jī)半導(dǎo)體器件的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)[J]. 陳海明,靳寶善. 微納電子技術(shù). 2010(08)
[9]有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域的若干科學(xué)問題[J]. 王立鐸. 大學(xué)化學(xué). 2007(01)
[10]酞菁銅的性能和應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 何智兵,黃勇剛,張溪文,趙高凌,杜丕一,韓高榮. 材料導(dǎo)報(bào). 2000(10)
本文編號(hào):3595305
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