發(fā)布時間：2021-12-30 01:43

　　近幾年來,由于高分辨率平板顯示器,傳感器以及大面積柔性電子器件的盛行,使得透明氧化物薄膜晶體管（TFT）越來越成為研究熱點。其中具有明顯優(yōu)勢的為非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管（a-IGZO TFT）。a-IGZO材料作為TFT有源層結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)多晶硅材料相比,具有較高的遷移率(一般大于10 cm²V^-1s^-1)、良好的均一性、高透光率以及適應(yīng)于低溫制備等優(yōu)點。溶液法是實現(xiàn)廉價和低溫制備大面積a-IGZO薄膜的重要方法之一。溶液法制備a-IGZO薄膜與磁控濺射等真空工藝制備方法相比具有低溫,大面積制備等優(yōu)點。本文所研究的IGZO及IZO薄膜即為溶液法制備所得。本文主要研究了相同退火溫度下,不同退火氣氛及壓強處理對溶液法制備IGZO薄膜表面形貌結(jié)構(gòu)與光學(xué)特性的影響及不同退火溫度對IZO薄膜和IGZO/IZO薄膜光學(xué)特性的影響。論文的主要內(nèi)容歸納如下。（1）簡要介紹了IGZO及IZO薄膜的結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電機制;分析了不同薄膜制備工藝中,溶液法制備薄膜的優(yōu)點;概述了表征薄膜特性的基本模型如:柯西（Cauchy）模型、Bruggeman有效... 

【文章來源】：江南大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：53 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

a-IGZOTFT器件結(jié)構(gòu)與實物圖

江南大學(xué)碩士學(xué)位論文 IGZO TFT 及 IZO TFT 國內(nèi)外研究進展顯示技術(shù)的要求越來越高，金屬氧化物漸漸替代傳統(tǒng) a-Si。2015 年全世界智能售數(shù)量達到了 18.2 億部，其中金屬氧化物(材料為 IGZO)TFT LCD 屏幕占%，且需求量會逐年提高。金屬氧化物半導(dǎo)體與低溫多晶硅技術(shù) LTPSperature Poly-silicon)相比，金屬氧化物半導(dǎo)體的分辨率較低，但其良品率遠遠S。夏普最近新推出的 Aquos 手機的分辨率達到 1080 P，將近 500 PPI，而三星7/S7 Edge 超過 500 PPI，最高達 576 PPI。雖然以 IGZO TFT 為有源矩陣開關(guān)制器分辨率較低，但是人眼視覺分辨率最高僅為 326 PPI，因此 IGZO 薄膜材料不會影響視覺效果。IGZO 良品率可做到 80%，最高可達 95%，與 LTPS 相比的優(yōu)勢。近些年來，夏普被鴻海收購，蘋果手機也將開始采用 IGZO 屏幕。鴻作伙伴-蘋果公司的最大代工廠，在收購夏普基礎(chǔ)上，蘋果可通過夏普先進的來對抗三星。圖 1-2 為 2004-2014 年，國際上關(guān)于 IGZO 及 IZO 學(xué)術(shù)發(fā)展情況

TFT結(jié)構(gòu)示意圖

【參考文獻】：
期刊論文
[1]氧化物薄膜晶體管研究進展[J]. 蘭林鋒,張鵬,彭俊彪.  物理學(xué)報. 2016(12)
[2]氧對IZO低壓無結(jié)薄膜晶體管穩(wěn)定性的影響[J]. 張耕銘,郭立強,趙孔勝,顏鐘惠.  物理學(xué)報. 2013(13)
[3]IGZO-TFT技術(shù):未來大尺寸平板顯示應(yīng)用發(fā)展的助推器[J]. 王莉紅,覃正才.  集成電路應(yīng)用. 2013(05)
[4]溶膠凝膠法制備透明IZO薄膜晶體管[J]. 信恩龍,李喜峰,張建華.  發(fā)光學(xué)報. 2013(02)
[5]橢圓偏振光譜法教學(xué)中的解譜建模滲透[J]. 曹春斌,孫兆奇,宋學(xué)萍.  大學(xué)物理. 2010(06)
[6]薄膜材料的橢圓偏振數(shù)據(jù)分析方法[J]. 李威,金承鈺.  光譜實驗室. 2010(01)

碩士論文
[1]溶液法制備IGZO薄膜及其性能的研究[D]. 鄒春暉.江南大學(xué) 2016
[2]關(guān)于氮氧鋅薄膜晶體管技術(shù)研究[D]. 馬焱源.電子科技大學(xué) 2016



本文編號：3557231